Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 66 A 80 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101 SQJ186ELP-T1_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 64,03

(ekskl. moms)

Kr. 80,04

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,403Kr. 64,03
50 - 90Kr. 6,268Kr. 62,68
100 - 240Kr. 4,982Kr. 49,82
250 - 990Kr. 4,884Kr. 48,84
1000 +Kr. 3,261Kr. 32,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8366
Producentens varenummer:
SQJ186ELP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

66A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPAK SO-8L

Serie

SQJ

Monteringstype

Printmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.032Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

135W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

4.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET til brug i biler er en bly- og halogenfri enhed. Det er en enkelt konfigurationsenhed, som er uafhængig af driftstemperatur.

AEC Q101-kvalificeret

I overensstemmelse med ROHS

UIS-testet 100 procent

Relaterede links