Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 16 A 12 V Forbedring, 6 Ben, Microfoot, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7932P
- Producentens varenummer:
- SI8483DB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 250 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 840,75
(ekskl. moms)
Kr. 1.051,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 600 | Kr. 3,363 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,555 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,31 |
| 2500 + | Kr. 1,954 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7932P
- Producentens varenummer:
- SI8483DB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | Microfoot | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 1.5mm | |
| Højde | 0.59mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype Microfoot | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 1.5mm | ||
Højde 0.59mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix Si8483DB-serien af TrenchFET dobbelt N-kanal Power MOSFET har en drain til kildespænding på 12 V. Det er maks. effekttab på 13 W og bruges primært i belastningsafbryder i bærbare enheder.
Lavt spændingsfald
Lavt effektforbrug
Øget batterilevetid