Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, -0.4 A 200 V, 4 Ben, HVMDIP
- RS-varenummer:
- 180-8628
- Producentens varenummer:
- IRFD9210PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 118,86
(ekskl. moms)
Kr. 148,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 160 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 5,943 | Kr. 118,86 |
| 40 - 80 | Kr. 5,827 | Kr. 116,54 |
| 100 - 180 | Kr. 5,049 | Kr. 100,98 |
| 200 - 480 | Kr. 4,754 | Kr. 95,08 |
| 500 + | Kr. 3,92 | Kr. 78,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8628
- Producentens varenummer:
- IRFD9210PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -0.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | HVMDIP | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Bredde | 5 mm | |
| Længde | 10.79mm | |
| Højde | 8.38mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -0.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype HVMDIP | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Bredde 5 mm | ||
Længde 10.79mm | ||
Højde 8.38mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Vishay IRFD9210 er en P-kanal Power MOSFET, der har en drain-to-source (VdS) spænding på -200V. Gate-to-source spænding (VGS) er 20 V. Den har HVMDIP-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 3 ohm ved 10 VGS.
Dynamisk dV/dt-normering
Normeret periodisk lavine
Til automatisk isætning
Relaterede links
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt -0.4 A 200 V HVMDIP
- Vishay Type P-Kanal 1.6 A 60 V Forbedring HVMDIP, IRFD9020
- Vishay P-Kanal 700 mA 100 V HVMDIP IRFD9110PBF
- Vishay P-Kanal 1 A 100 V HVMDIP IRFD9120PBF
- Vishay P-Kanal 1 4 ben, HVMDIP IRFD9024PBF
- Vishay Type P-Kanal 1.1 A 50 V HVMDIP
- Vishay Type P-Kanal 1 A 100 V HVMDIP, IRFD9120
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 6.8 A 100 V, TO-263
