Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 2.4 A 50 V, 4 Ben, HVMDIP
- RS-varenummer:
- 180-8673
- Producentens varenummer:
- IRFD020PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 33,29
(ekskl. moms)
Kr. 41,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 80 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,658 | Kr. 33,29 |
| 50 - 245 | Kr. 6,118 | Kr. 30,59 |
| 250 - 495 | Kr. 5,654 | Kr. 28,27 |
| 500 - 1245 | Kr. 5,326 | Kr. 26,63 |
| 1250 + | Kr. 5,012 | Kr. 25,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8673
- Producentens varenummer:
- IRFD020PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | HVMDIP | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.1Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.425 in | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Højde | 0.330in | |
| Længde | 0.29in | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype HVMDIP | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.1Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.425 in | ||
Standarder/godkendelser RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Højde 0.330in | ||
Længde 0.29in | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er et N-kanal HVMDIP-4-hus, som er et nyt produkt med en drænkildespænding på 50 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 100 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. MOSFET har et maksimalt effekttab på 1 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• kompakt, kan stakkes ende mod ende
• let parallelkobling
• Fremragende temperaturstabilitet
• hurtigt skift
• til automatisk isætning
• blyfri (Pb) komponent
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
Anvendelsesområder
• Batteriladere
• Invertere
• Strømforsyninger
• strømforsyning til skiftetilstand (SMPS)
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 2.4 A 50 V HVMDIP
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 1.3 A 100 V Forbedring HVMDIP
- Vishay 1 Type N MOSFET 4 Ben IRLD
- Vishay N-Kanal 2 4 ben, HVMDIP IRFD024PBF
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring HVMDIP, IRLD
- Vishay Type N-Kanal 600 mA 200 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1 A 100 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1.3 A 100 V Forbedring HVMDIP, IRFD