Vishay N-Kanal, MOSFET, 2,5 A 60 V, 4 ben, HVMDIP IRFD024PBF

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

2,5 A

Drain source spænding maks.

60 V

Kapslingstype

HVMDIP

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks.

100 mΩ

Kanalform

Enhancement

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

1.3 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

25 nC ved 10 V

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Længde

5mm

Bredde

6.29mm

Transistormateriale

Si

Højde

3.37mm

Driftstemperatur min.

-55 °C