Vishay 1 Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 1.4 A 800 V, TO-220FP
- RS-varenummer:
- 180-8699
- Producentens varenummer:
- IRFIBE20GPBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 122,07
(ekskl. moms)
Kr. 152,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 15 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,414 | Kr. 122,07 |
| 50 - 120 | Kr. 21,976 | Kr. 109,88 |
| 125 - 245 | Kr. 20,764 | Kr. 103,82 |
| 250 - 495 | Kr. 19,552 | Kr. 97,76 |
| 500 + | Kr. 18,326 | Kr. 91,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8699
- Producentens varenummer:
- IRFIBE20GPBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 30W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 30W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRCHOLSEHOLDGE er en N-kanal MOSFET, der har en drain-to-source-spænding (VdS) på 800 V. gate-to-source-spænding (VGS) er 20 V. Det er nødt TIL at - 220 FULLPAK hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 6,5 ohm ved 10 VGS.
Isoleret hus
Høj spændingsisolation = 2.5 kVARrms (t = 60 sek.; f = 60 Hz)
Synke til krybeafstand = 4.8 mm
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal 1.4 A 800 V, TO-220FP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 7.9 A 250 V, TO-220FP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 800 V TO-220FP, STF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 800 V TO-220FP, STF