Vishay 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben
- RS-varenummer:
- 180-8800
- Producentens varenummer:
- IRFU120PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 62,31
(ekskl. moms)
Kr. 77,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,231 | Kr. 62,31 |
| 100 - 240 | Kr. 5,842 | Kr. 58,42 |
| 250 - 490 | Kr. 5,603 | Kr. 56,03 |
| 500 - 990 | Kr. 4,982 | Kr. 49,82 |
| 1000 + | Kr. 4,675 | Kr. 46,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8800
- Producentens varenummer:
- IRFU120PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Monteringstype | Overflade, Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.27Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Monteringstype Overflade, Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.27Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRFU120 er en N-kanals effekt-MOSFET med dræn-til-kilde (Vds) spænding på 100 V. Gate-til-kilde spændingen (VGS) er 20 V. Den har DPAK (TO-252) og IPAK (TO-251) hus. Den har en dræn-til-kilde modstand (RDS) på 0..27 ohm ved 10 VGS.
Dynamisk dV/dt mærkeværdi
Gentagende lavinebelastning
Overflademontering
Relaterede links
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 7.7 A 100 V, 3 Ben
- Vishay N-Kanal 7.7 A 100 V TO-252
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V IPAK
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V TO-252
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring IPAK, IRLU
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRLR
- Vishay Type P-Kanal 7.7 A 100 V TO-220