Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRLU
- RS-varenummer:
- 178-0910
- Producentens varenummer:
- IRLU014PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 428,175
(ekskl. moms)
Kr. 535,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.025 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 5,709 | Kr. 428,18 |
| 150 - 300 | Kr. 4,853 | Kr. 363,98 |
| 375 + | Kr. 4,283 | Kr. 321,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0910
- Producentens varenummer:
- IRLU014PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | IRLU | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie IRLU | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring IPAK, IRLU
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V IPAK
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRLR
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 650 V Forbedring IPAK
- Vishay Type N-Kanal 14 A 60 V IPAK
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET