Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRLU
- RS-varenummer:
- 543-1702
- Producentens varenummer:
- IRLU014PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,42
(ekskl. moms)
Kr. 83,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 15 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
- Plus 2.065 enhed(er) afsendes fra 17. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,284 | Kr. 66,42 |
| 50 - 120 | Kr. 12,536 | Kr. 62,68 |
| 125 - 245 | Kr. 11,34 | Kr. 56,70 |
| 250 - 495 | Kr. 10,606 | Kr. 53,03 |
| 500 + | Kr. 9,978 | Kr. 49,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-1702
- Producentens varenummer:
- IRLU014PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | IRLU | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie IRLU | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring IPAK, IRLU
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V IPAK
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRFR
- Vishay Type N-Kanal 7.7 A 60 V Forbedring TO-252, IRLR
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 7.7 A 60 V Forbedring TO-252
- Vishay Type N-Kanal 14 A 60 V IPAK
- Vishay Type N-Kanal 1.4 A 600 V Forbedring IPAK, IRFU
- Vishay Type N-Kanal 2.4 A 500 V Forbedring IPAK, IRFU
