Name: Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
Brand: Infineon
SKU: 124-8964
Price: 5.91 DKK
Availability: Discontinued

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	160A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	IPAK
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	39nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	135W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	6.22mm
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie HEXFET
	Emballagetype IPAK
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 135W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 6.22mm
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 160A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 135W maksimal effektafledning - IRLU8743PBF

Denne MOSFET er en enhancement mode-enhed, der er designet til effektive switching-applikationer. Den bruger avanceret teknologi til at fungere godt i højfrekvente operationer, hvilket gør den velegnet til strømstyring i forskellige industrielle scenarier. Med imponerende specifikationer håndterer den effektivt betydelige strømbelastninger, samtidig med at den opretholder lav modstand, hvilket sikrer ydeevne under forskellige forhold.

Egenskaber og fordele

• Lav tændingsmodstand reducerer strømtab under drift

• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 160A understøtter store belastninger

• Spændingsområde op til 30 V muliggør forskellige anvendelser

• Designet med en IPAK TO-251-pakke til nem installation

• Fuldt karakteriserede lavinefunktioner øger driftssikkerheden

Anvendelsesområder

• Højfrekvente synkrone buck-omformere

• Isolerede DC-DC-omformere i industrielle miljøer

• Strømstyringssystemer til computerprocessorer

• Strømforsyning med høj strøm

Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?

Enheden fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer ensartet ydeevne under ekstreme forhold.

Hvilken betydning har lav RDS(on) for mit design?

En lav RDS(on)-værdi minimerer ledningstab, hvilket fremmer effektiv energiudnyttelse og effektiv varmestyring, som er afgørende for applikationer med høj strømstyrke.

Kan det bruges i pulsapplikationer?

Ja, dens design understøtter håndtering af pulserende strøm, hvilket gør den velegnet til forskellige applikationer, der kræver transient respons.

Hvilke faktorer skal jeg overveje under installationen?

Det er vigtigt at sikre korrekt termisk styring og verificere kompatibilitet med kredsløbets spændings- og strømspecifikationer for at optimere ydeevnen.

Er der behov for yderligere komponenter til portstyring?

Det kan være en fordel at indbygge gate-drive-kredsløb for at forbedre koblingsydelsen, især i højfrekvensapplikationer.

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET