Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
RS-varenummer:
124-8964
Producentens varenummer:
IRLU8743PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

160A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

135W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Bredde

2.39 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 160A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 135W maksimal effektafledning - IRLU8743PBF


Denne MOSFET er en enhancement mode-enhed, der er designet til effektive switching-applikationer. Den bruger avanceret teknologi til at fungere godt i højfrekvente operationer, hvilket gør den velegnet til strømstyring i forskellige industrielle scenarier. Med imponerende specifikationer håndterer den effektivt betydelige strømbelastninger, samtidig med at den opretholder lav modstand, hvilket sikrer ydeevne under forskellige forhold.

Egenskaber og fordele


• Lav tændingsmodstand reducerer strømtab under drift

• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 160A understøtter store belastninger

• Spændingsområde op til 30 V muliggør forskellige anvendelser

• Designet med en IPAK TO-251-pakke til nem installation

• Fuldt karakteriserede lavinefunktioner øger driftssikkerheden

Anvendelsesområder


• Højfrekvente synkrone buck-omformere

• Isolerede DC-DC-omformere i industrielle miljøer

• Strømstyringssystemer til computerprocessorer

• Strømforsyning med høj strøm

Hvordan klarer den sig i miljøer med høje temperaturer?


Enheden fungerer inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer ensartet ydeevne under ekstreme forhold.

Hvilken betydning har lav RDS(on) for mit design?


En lav RDS(on)-værdi minimerer ledningstab, hvilket fremmer effektiv energiudnyttelse og effektiv varmestyring, som er afgørende for applikationer med høj strømstyrke.

Kan det bruges i pulsapplikationer?


Ja, dens design understøtter håndtering af pulserende strøm, hvilket gør den velegnet til forskellige applikationer, der kræver transient respons.

Hvilke faktorer skal jeg overveje under installationen?


Det er vigtigt at sikre korrekt termisk styring og verificere kompatibilitet med kredsløbets spændings- og strømspecifikationer for at optimere ydeevnen.

Er der behov for yderligere komponenter til portstyring?


Det kan være en fordel at indbygge gate-drive-kredsløb for at forbedre koblingsydelsen, især i højfrekvensapplikationer.

Relaterede links