Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-7134
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-455
- Producentens varenummer:
- IRFU3607PBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 83,03
(ekskl. moms)
Kr. 103,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.080 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.445 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 16,606 | Kr. 83,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-7134
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-43-455
- Producentens varenummer:
- IRFU3607PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 150 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 63 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 9.4 A 100 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 30 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET