Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6923
- Producentens varenummer:
- IRFB3607PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 35,46
(ekskl. moms)
Kr. 44,325
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 125 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,092 | Kr. 35,46 |
| 50 - 120 | Kr. 4,758 | Kr. 23,79 |
| 125 - 245 | Kr. 4,384 | Kr. 21,92 |
| 250 - 495 | Kr. 4,114 | Kr. 20,57 |
| 500 + | Kr. 3,844 | Kr. 19,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6923
- Producentens varenummer:
- IRFB3607PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 140 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET