Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 210 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB3077PBF
- RS-varenummer:
- 650-4716
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-316
- Producentens varenummer:
- IRFB3077PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 22,88
(ekskl. moms)
Kr. 28,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 126 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 954 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,88 |
| 10 - 24 | Kr. 21,69 |
| 25 - 49 | Kr. 21,24 |
| 50 - 99 | Kr. 19,97 |
| 100 + | Kr. 18,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-4716
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-316
- Producentens varenummer:
- IRFB3077PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 210A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 160nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Distrelec Product Id | 30341316 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 210A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 160nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Distrelec Product Id 30341316 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 210 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 75 V maksimal drænkildespænding - IRFB3077PBF
Denne MOSFET er en højtydende effektelektronikkomponent, der er velegnet til forskellige krævende anvendelser. Den er designet med Si MOSFET-teknologi og har en TO-220AB MOSFET-pakke, der muliggør effektiv varmestyring. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 210 A og en maksimal drain-source-spænding på 75 V udmærker den sig i højstrømsapplikationer, samtidig med at den sikrer pålidelig ydelse under vanskelige forhold.
Egenskaber og fordele
• Opnår lav RDS(on) på 3,3 mΩ for effektiv drift
• Designet til forbedringstilstand, der understøtter robuste applikationer
• Høj maksimal effektafledning på 370 W optimerer enhedens levetid
• Forbedret lavine- og dynamisk dV/dt-robusthed giver sikkerhed
• Fuldt karakteriseret kapacitans, der forbedrer koblingsydelsen
• Velegnet til højhastighedsstrømskift med fremragende termisk stabilitet
Anvendelser
• Anvendes i højeffektive synkrone ensretningssystemer
• Ideel til konfigurationer med uafbrydelig strømforsyning
• Effektiv i hårdt koblede og højfrekvente kredsløb
• Muliggør effektiv strømstyring i industrielle automationssystemer
• Understøtter forskellige strømforsyningsdesigns i elektrisk og mekanisk
Hvilket temperaturområde kan denne komponent tåle?
Den fungerer pålideligt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til en lang række miljøer.
Hvordan gavner den lave RDS(on) applikationen?
Den lave RDS(on) reducerer effekttabet betydeligt under drift, hvilket forbedrer energieffektiviteten og den termiske ydeevne i applikationer, der kræver et højt strømflow.
Hvad er fordelene ved TO-220AB-pakkeformatet?
Dette pakkeformat sikrer bedre varmeafledning og lettere installation, især ved montering gennem huller, hvilket fremmer robuste kredsløbsdesigns.
Hvilken type gate-tærskelspænding kræver den?
Komponenten understøtter en gate-tærskelspænding på mellem 2V og 4V, hvilket giver mulighed for kompatibilitet med forskellige kontrolkredsløb.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 210 A 75 V TO-220AB, HEXFET IRFB3077PBF
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V TO-220AB, HEXFET AUIRF2907Z
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V TO-220AB, HEXFET IRF2807ZPBF
- Infineon N-Kanal 180 A 75 V HEXFET IRFB3207PBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V HEXFET IRFB3207ZPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V HEXFET IRF2907ZPBF
- Infineon N-Kanal 210 A 40 V TO-220AB, HEXFET IRF2204PBF
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V TO-220AB, HEXFET IRFB3206PBF
