Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF2805PBF
- RS-varenummer:
- 784-0274
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-270
- Producentens varenummer:
- IRF2805PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 11,25
(ekskl. moms)
Kr. 14,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 99 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 7 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 742 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,25 |
| 10 - 24 | Kr. 10,70 |
| 25 - 49 | Kr. 10,17 |
| 50 - 99 | Kr. 9,57 |
| 100 + | Kr. 9,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 784-0274
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-270
- Producentens varenummer:
- IRF2805PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Højde | 16.51mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Distrelec Product Id | 30341270 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Højde 16.51mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Distrelec Product Id 30341270 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 75A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 330W maksimal effektafledning - IRF2805PBF
Denne power-MOSFET leverer fremragende ydelse til forskellige elektroniske applikationer. Dens robuste specifikationer er designet til industrielle miljøer og sikrer både pålidelighed og effektivitet. Med lav on-modstand understøtter denne komponent høj strømkapacitet, hvilket gør den velegnet til avancerede kredsløb.
Egenskaber og fordele
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 75A
• Forbedrer effektiviteten med en lav RDS(on) på 4,7mΩ
• Kompatibel med +20 V/-20 V gate-source-spænding for øget fleksibilitet
• Kan skifte hurtigt for at opfylde dynamiske behov for ydeevne
• Understøtter gentagen håndtering af laviner for operationel robusthed
Anvendelsesområder
• Bruges i industrielle motordrev til effektiv effektstyring
• Velegnet til strømstyring i automatiseringssystemer
• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv omskiftning
• Anvendes i højtydende og holdbart elværktøj
• Anvendes i batteristyringssystemer til elektriske køretøjer
Hvad er den maksimale temperatur, som denne komponent kan tåle?
Den kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, så den kan fungere under ekstreme forhold.
Hvordan håndterer denne MOSFET applikationer med høj strøm?
Den er designet til at håndtere en kontinuerlig afløbsstrøm på 75A, hvilket gør den velegnet til høje strømkrav.
Kan den bruges i applikationer med krav om hurtige skift?
Ja, denne MOSFET understøtter hurtige skiftehastigheder, hvilket er ideelt til applikationer, der kræver dynamisk ydeevne.
Er denne enhed egnet til brug i strømomformere?
Ja, dens termiske stabilitet og evne til at håndtere høje strømme gør den velegnet til inverterapplikationer i vedvarende energisystemer.
Hvad er konsekvenserne af den lave on-resistens?
Den lave RDS(on) reducerer effekttabet under drift, hvilket bidrager til forbedret effektivitet og termisk ydeevne.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 75 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF2805PBF
- Infineon N-Kanal 75 A 3 ben HEXFET AUIRL3705Z
- Infineon N-Kanal 75 A 3 ben HEXFET AEC-Q101 AUIRL3705Z
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V TO-220AB, HEXFET AUIRF2907Z
- Infineon N-Kanal 75 A 75 V TO-220AB, HEXFET IRF2807ZPBF
- Infineon N-Kanal 180 A 75 V HEXFET IRFB3207PBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V HEXFET IRFB3207ZPBF
- Infineon N-Kanal 170 A 75 V HEXFET IRF2907ZPBF
