Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 486,20

(ekskl. moms)

Kr. 607,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 9,724Kr. 486,20
100 - 200Kr. 9,238Kr. 461,90
250 - 450Kr. 8,849Kr. 442,45
500 - 950Kr. 8,265Kr. 413,25
1000 +Kr. 7,779Kr. 388,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
912-8687
Producentens varenummer:
IRF2805PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

75A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

150nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

330W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.83 mm

Højde

16.51mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 75A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 330W maksimal effektafledning - IRF2805PBF


Denne power-MOSFET leverer fremragende ydelse til forskellige elektroniske applikationer. Dens robuste specifikationer er designet til industrielle miljøer og sikrer både pålidelighed og effektivitet. Med lav on-modstand understøtter denne komponent høj strømkapacitet, hvilket gør den velegnet til avancerede kredsløb.

Egenskaber og fordele


• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 75A

• Forbedrer effektiviteten med en lav RDS(on) på 4,7mΩ

• Kompatibel med +20 V/-20 V gate-source-spænding for øget fleksibilitet

• Kan skifte hurtigt for at opfylde dynamiske behov for ydeevne

• Understøtter gentagen håndtering af laviner for operationel robusthed

Anvendelsesområder


• Bruges i industrielle motordrev til effektiv effektstyring

• Velegnet til strømstyring i automatiseringssystemer

• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv omskiftning

• Anvendes i højtydende og holdbart elværktøj

• Anvendes i batteristyringssystemer til elektriske køretøjer

Hvad er den maksimale temperatur, som denne komponent kan tåle?


Den kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, så den kan fungere under ekstreme forhold.

Hvordan håndterer denne MOSFET applikationer med høj strøm?


Den er designet til at håndtere en kontinuerlig afløbsstrøm på 75A, hvilket gør den velegnet til høje strømkrav.

Kan den bruges i applikationer med krav om hurtige skift?


Ja, denne MOSFET understøtter hurtige skiftehastigheder, hvilket er ideelt til applikationer, der kræver dynamisk ydeevne.

Er denne enhed egnet til brug i strømomformere?


Ja, dens termiske stabilitet og evne til at håndtere høje strømme gør den velegnet til inverterapplikationer i vedvarende energisystemer.

Hvad er konsekvenserne af den lave on-resistens?


Den lave RDS(on) reducerer effekttabet under drift, hvilket bidrager til forbedret effektivitet og termisk ydeevne.

Relaterede links