Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRL3705NPBF

RS-varenummer:: 540-9991
Producentens varenummer:: IRL3705NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRL3705NPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 11,79

(ekskl. moms)

Kr. 14,74

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 123 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Plus 975 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 - 9	Kr. 11,79
10 - 49	Kr. 11,15
50 - 99	Kr. 11,00
100 - 249	Kr. 10,25
250 +	Kr. 9,57

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 540-9991
Producentens varenummer:: IRL3705NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	89A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	10mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	170W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	16 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	98nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.69 mm
	Højde	9.02mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 10mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 170W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 16 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 98nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.69 mm
	Højde 9.02mm
	Bilindustristandarder Nej

Log ind for at downloade CAD-modeller

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 89A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRL3705NPBF

Denne N-kanal MOSFET er konstrueret til højtydende applikationer, samtidig med at den giver forbedret effektivitet og pålidelighed. Ved hjælp af avanceret HEXFET-teknologi har den minimal on-modstand og er velegnet til forskellige automatiserings-, elektronik- og elektriske anvendelser. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket sikrer effektiv ydelse i forskellige miljøer.

Egenskaber og fordele

• Lav Rds(on) på 10mΩ for øget effektivitet

• Fungerer i forbedringstilstand til innovative kredsløbsdesigns

• Hurtige skiftefunktioner for forbedret systemrespons

• Fuldt lavinegodkendt for holdbarhed i krævende situationer

Anvendelsesområder

• Velegnet til industrielle strømstyringssystemer

• Ideel til motordrift i automatisering

• Kompatibel med strømforsyninger, der kræver lav termisk modstand

• Anvendes i DC-DC-konvertere til forbedret energieffektivitet

Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet?

Den maksimale effektafledning er på 170 W, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring under høj belastning.

Er den egnet til høje temperaturer?

Denne enhed kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til en række forskellige højtemperaturscenarier.

Hvad er betydningen af gate-tærskelspændingsområdet?

Gate-tærskelspændingen varierer fra 1V til 2V, hvilket er vigtigt for at bestemme on/off-tilstandene på tværs af forskellige gate-drive-spændinger.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig, når man bruger det i et kredsløb?

Sørg for, at gate-to-source-spændingen ikke overstiger ±16V for at forhindre skader og opretholde optimal funktionalitet.