Infineon N-Kanal, MOSFET, 89 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 540-9991
- Producentens varenummer:
- IRL3705NPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme 5%
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 18,85
(ekskl. moms)
Kr. 23,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 346 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,85 | - |
| 10 - 49 | Kr. 17,88 | 5% |
| 50 - 99 | Kr. 17,58 | 6% |
| 100 - 249 | Kr. 16,31 | 13% |
| 250 + | Kr. 15,26 | 19% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 540-9991
- Producentens varenummer:
- IRL3705NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 89A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 98nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bredde | 4.69mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 89A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -16V, +16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 98nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Bredde 4.69mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 89A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRL3705NPBF
Denne N-kanal MOSFET er konstrueret til højtydende applikationer, samtidig med at den giver forbedret effektivitet og pålidelighed. Ved hjælp af avanceret HEXFET-teknologi har den minimal on-modstand og er velegnet til forskellige automatiserings-, elektronik- og elektriske anvendelser. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket sikrer effektiv ydelse i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Lav Rds(on) på 10mΩ for øget effektivitet
• Fungerer i forbedringstilstand til innovative kredsløbsdesigns
• Hurtige skiftefunktioner for forbedret systemrespons
• Fuldt lavinegodkendt for holdbarhed i krævende situationer
Anvendelsesområder
• Velegnet til industrielle strømstyringssystemer
• Ideel til motordrift i automatisering
• Kompatibel med strømforsyninger, der kræver lav termisk modstand
• Anvendes i DC-DC-konvertere til forbedret energieffektivitet
Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet?
Den maksimale effektafledning er på 170 W, hvilket giver mulighed for effektiv varmestyring under høj belastning.
Er den egnet til høje temperaturer?
Denne enhed kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til en række forskellige højtemperaturscenarier.
Hvad er betydningen af gate-tærskelspændingsområdet?
Gate-tærskelspændingen varierer fra 1V til 2V, hvilket er vigtigt for at bestemme on/off-tilstandene på tværs af forskellige gate-drive-spændinger.
Hvilke overvejelser skal man gøre sig, når man bruger det i et kredsløb?
Sørg for, at gate-to-source-spændingen ikke overstiger ±16V for at forhindre skader og opretholde optimal funktionalitet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 47 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 75 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET