Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 543-0939
- Producentens varenummer:
- IRFZ44VPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 9,57
(ekskl. moms)
Kr. 11,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 5 tilbage, klar til afsendelse
- Plus 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 2.492 enhed(er) afsendes fra 10. marts 2026
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,57 |
| 10 - 49 | Kr. 8,98 |
| 50 - 99 | Kr. 8,38 |
| 100 - 249 | Kr. 7,63 |
| 250 + | Kr. 7,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0939
- Producentens varenummer:
- IRFZ44VPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 67nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 67nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 47 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET