Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 51 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 688-7165
- Producentens varenummer:
- IRFZ44ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 33,98
(ekskl. moms)
Kr. 42,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.190 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,796 | Kr. 33,98 |
| 50 - 120 | Kr. 6,044 | Kr. 30,22 |
| 125 - 245 | Kr. 5,624 | Kr. 28,12 |
| 250 - 495 | Kr. 5,31 | Kr. 26,55 |
| 500 + | Kr. 4,892 | Kr. 24,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-7165
- Producentens varenummer:
- IRFZ44ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bredde | 4.4 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-43-456 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Bredde 4.4 mm | ||
Distrelec Product Id 304-43-456 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRFZ44ZPBF
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRLZ44ZPBF
- Infineon N-Kanal 51 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB52N15DPBF
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRFZ24NPBF
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF1405ZPBF
- Infineon N-Kanal 61 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRFZ48Z
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRL3705NPBF
- Infineon N-Kanal 89 A 55 V TO-220AB, HEXFET AUIRL3705N
