Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 258,50

(ekskl. moms)

Kr. 323,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 5,17Kr. 258,50
100 - 200Kr. 4,033Kr. 201,65
250 - 450Kr. 3,774Kr. 188,70
500 - 1200Kr. 3,516Kr. 175,80
1250 +Kr. 3,257Kr. 162,85

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4766
Producentens varenummer:
IRFZ34NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

40mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

8.77mm

Længde

10.54mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 29A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRFZ34NPBF


Denne MOSFET er skræddersyet til avancerede elektroniske applikationer, især hvor høj effektivitet og pålidelighed er afgørende. Dens N-kanal-konfiguration gør det muligt at skifte og modulere elektriske strømme effektivt i elsystemer. Med en maksimal drain-source-spænding på 55 V og en kontinuerlig drain-strøm på 29 A er denne komponent afgørende for højtydende designs i automations- og el-sektoren.

Egenskaber og fordele


• Ultra-lav tændingsmodstand for minimalt strømtab

• Maksimalt strømforbrug på 68W for robust funktionalitet

• Høj temperaturtolerance på op til 175 °C sikrer langvarig ydeevne

• Kompatibel med gennemgående hulmontering for nem integration

• Dynamisk dv/dt-klassificering giver mulighed for hurtige skift

• Enhancement mode-transistor forbedrer enhedens effektivitet

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømforsyningsdesign til effektiv energistyring

• Anvendt i motorisk kontrol til præcis hastighedsregulering

• Velegnet til diskrete skift inden for forbrugerelektronik

• Anvendes i industriel automatisering for at forbedre systemets pålidelighed

• Velegnet til bilindustrien der kræver høj effekthåndtering

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm ved 100 °C?


Ved 100 °C er den kontinuerlige afløbsstrøm på 20 A, hvilket sikrer pålidelighed under høje temperaturer.

Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbets effektivitet?


En lav RDS(on) reducerer effekttabet under drift, hvilket øger den samlede kredsløbseffektivitet og minimerer varmeudviklingen.

Kan den bruges til parallelle konfigurationer?


Ja, designet gør det nemt at parallelkoble, hvilket forbedrer strømhåndteringen til applikationer med høj effekt.

Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?


Den maksimale gate-source-spænding på ±20V giver sikker drift og beskytter mod skader under standard switching-aktiviteter.

Hvilken indflydelse har temperaturen på ydeevnen?


Med et driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C opretholder den driftsintegriteten under ekstreme forhold, hvilket gør den velegnet til en lang række anvendelser.

Relaterede links