Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4766
- Producentens varenummer:
- IRFZ34NPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 919-4766
- Producentens varenummer:
- IRFZ34NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 29A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRFZ34NPBF
Denne MOSFET er skræddersyet til avancerede elektroniske applikationer, især hvor høj effektivitet og pålidelighed er afgørende. Dens N-kanal-konfiguration gør det muligt at skifte og modulere elektriske strømme effektivt i elsystemer. Med en maksimal drain-source-spænding på 55 V og en kontinuerlig drain-strøm på 29 A er denne komponent afgørende for højtydende designs i automations- og el-sektoren.
Egenskaber og fordele
• Ultra-lav tændingsmodstand for minimalt strømtab
• Maksimalt strømforbrug på 68W for robust funktionalitet
• Høj temperaturtolerance på op til 175 °C sikrer langvarig ydeevne
• Kompatibel med gennemgående hulmontering for nem integration
• Dynamisk dv/dt-klassificering giver mulighed for hurtige skift
• Enhancement mode-transistor forbedrer enhedens effektivitet
Anvendelsesområder
• Anvendes i strømforsyningsdesign til effektiv energistyring
• Anvendt i motorisk kontrol til præcis hastighedsregulering
• Velegnet til diskrete skift inden for forbrugerelektronik
• Anvendes i industriel automatisering for at forbedre systemets pålidelighed
• Velegnet til bilindustrien der kræver høj effekthåndtering
Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm ved 100 °C?
Ved 100 °C er den kontinuerlige afløbsstrøm på 20 A, hvilket sikrer pålidelighed under høje temperaturer.
Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbets effektivitet?
En lav RDS(on) reducerer effekttabet under drift, hvilket øger den samlede kredsløbseffektivitet og minimerer varmeudviklingen.
Kan den bruges til parallelle konfigurationer?
Ja, designet gør det nemt at parallelkoble, hvilket forbedrer strømhåndteringen til applikationer med høj effekt.
Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?
Den maksimale gate-source-spænding på ±20V giver sikker drift og beskytter mod skader under standard switching-aktiviteter.
Hvilken indflydelse har temperaturen på ydeevnen?
Med et driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C opretholder den driftsintegriteten under ekstreme forhold, hvilket gør den velegnet til en lang række anvendelser.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET