Infineon N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFZ34NPBF

RS-varenummer:: 919-4766
Producentens varenummer:: IRFZ34NPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFZ34NPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)**

Kr. 246,85

(ekskl. moms)

Kr. 308,55

(inkl. moms)

800 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rør**
50 - 50	Kr. 4,937	Kr. 246,85
100 - 200	Kr. 3,851	Kr. 192,55
250 - 450	Kr. 3,604	Kr. 180,20
500 - 1200	Kr. 3,356	Kr. 167,80
1250 +	Kr. 3,11	Kr. 155,50

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4766
Producentens varenummer:: IRFZ34NPBF
Brand:: Infineon

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 29A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRFZ34NPBF

Denne MOSFET er skræddersyet til avancerede elektroniske applikationer, især hvor høj effektivitet og pålidelighed er afgørende. Dens N-kanal-konfiguration gør det muligt at skifte og modulere elektriske strømme effektivt i elsystemer. Med en maksimal drain-source-spænding på 55 V og en kontinuerlig drain-strøm på 29 A er denne komponent afgørende for højtydende designs i automations- og el-sektoren.

Egenskaber og fordele

• Ultra-lav tændingsmodstand for minimalt strømtab
• Maksimalt strømforbrug på 68W for robust funktionalitet
• Høj temperaturtolerance på op til 175 °C sikrer langvarig ydeevne
• Kompatibel med gennemgående hulmontering for nem integration
• Dynamisk dv/dt-klassificering giver mulighed for hurtige skift
• Enhancement mode-transistor forbedrer enhedens effektivitet

Anvendelsesområder

• Anvendes i strømforsyningsdesign til effektiv energistyring
• Anvendt i motorisk kontrol til præcis hastighedsregulering
• Velegnet til diskrete skift inden for forbrugerelektronik
• Anvendes i industriel automatisering for at forbedre systemets pålidelighed
• Velegnet til bilindustrien der kræver høj effekthåndtering

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm ved 100 °C?

Ved 100 °C er den kontinuerlige afløbsstrøm på 20 A, hvilket sikrer pålidelighed under høje temperaturer.

Hvordan gavner den lave on-modstand kredsløbets effektivitet?

En lav RDS(on) reducerer effekttabet under drift, hvilket øger den samlede kredsløbseffektivitet og minimerer varmeudviklingen.

Kan den bruges til parallelle konfigurationer?

Ja, designet gør det nemt at parallelkoble, hvilket forbedrer strømhåndteringen til applikationer med høj effekt.

Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?

Den maksimale gate-source-spænding på ±20V giver sikker drift og beskytter mod skader under standard switching-aktiviteter.

Hvilken indflydelse har temperaturen på ydeevnen?

Med et driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C opretholder den driftsintegriteten under ekstreme forhold, hvilket gør den velegnet til en lang række anvendelser.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	29 A
Drain source spænding maks.	55 V
Serie	HEXFET
Kapslingstype	TO-220AB
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	40 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	68 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	34 nC ved 10 V
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	8.77mm