Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRFZ34NSTRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,56

(ekskl. moms)

Kr. 75,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.080 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,056Kr. 60,56
100 - 240Kr. 5,76Kr. 57,60
250 - 490Kr. 5,632Kr. 56,32
500 - 990Kr. 5,273Kr. 52,73
1000 +Kr. 4,907Kr. 49,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6784
Producentens varenummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-41-681

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links