Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRFZ34NSTRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,56

(ekskl. moms)

Kr. 75,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.080 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,056Kr. 60,56
100 - 240Kr. 5,76Kr. 57,60
250 - 490Kr. 5,632Kr. 56,32
500 - 990Kr. 5,273Kr. 52,73
1000 +Kr. 4,907Kr. 49,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6784
Producentens varenummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-41-681

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links