Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 50,34

(ekskl. moms)

Kr. 62,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 800 enhed(er) afsendes fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,034Kr. 50,34
100 - 240Kr. 4,795Kr. 47,95
250 - 490Kr. 4,682Kr. 46,82
500 - 990Kr. 4,383Kr. 43,83
1000 +Kr. 4,077Kr. 40,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6784
Elfa Distrelec varenummer:
304-41-681
Producentens varenummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links