Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 94 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 5.317,60

(ekskl. moms)

Kr. 6.647,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.400 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 6,647Kr. 5.317,60
1600 +Kr. 6,315Kr. 5.052,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-8196
Producentens varenummer:
IRF1010ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

94A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

63nC

Effektafsættelse maks. Pd

140W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

11.3 mm

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 94A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRF1010ZSTRLPBF


Denne overflademonterede MOSFET giver en enestående ydeevne i forskellige applikationer. Den er skabt af Infineon og udnytter avancerede behandlingsteknikker til at levere lav on-resistance og høj strømstyrke. Dens effektivitet i højtemperaturmiljøer gør den til en vigtig komponent for fagfolk inden for automatisering, elektronik, el og mekanik.

Egenskaber og fordele


• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 94A understøtter applikationer med stor belastning

• Lav RDS(on) på 7,5 mΩ minimerer strømtab og forbedrer effektiviteten

• Maksimal drain-source-spænding på 55V giver designfleksibilitet

• Høj pålidelighed med en maksimal driftstemperatur på 175 °C

• Hurtige skiftefunktioner reducerer forsinkelser i kredsløbets respons

• N-kanal-konfiguration er velegnet til avancerede elektroniske designs

Anvendelsesområder


• Anvendes i strømstyrings- og konverteringssystemer

• Anvendes i motorstyringskredsløb til automatiseringsteknologier

• Velegnet til strømforsyningsdesign, der kræver høj effektivitet

• Integreret i elektriske køretøjers effektelektronik

• Bruges i vedvarende energisystemer til effektiv energiomdannelse

Hvad er konsekvenserne af den lave on-resistance-funktion?


Den lave tændingsmodstand på 7,5 mΩ sikrer minimal varmeudvikling under drift, hvilket fører til øget effektivitet og reducerede kølebehov.

Hvordan klarer denne MOSFET sig i højtemperaturmiljøer?


Den understøtter maksimale driftstemperaturer på op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til barske forhold uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Hvilken type montering er nødvendig for denne komponent?


Denne enhed er designet til overflademontering, hvilket giver mulighed for kompakt layout og effektiv varmestyring på printkort.

Kan den håndtere pulserende strømme effektivt?


Ja, den har en pulserende afløbsstrøm på 360 A, hvilket gør den i stand til at håndtere transiente forhold effektivt.

Hvilke egenskaber skal jeg overveje for kredsløbskompatibilitet?


Sørg for, at gate-tærskelspændingen ligger mellem 2V og 4V for at sikre korrekt skifteadfærd i dit kredsløbsdesign.

Relaterede links