Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 260-5059
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 46,38
(ekskl. moms)
Kr. 57,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 210 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 46,38 |
| 10 - 24 | Kr. 44,06 |
| 25 - 49 | Kr. 43,16 |
| 50 - 99 | Kr. 40,39 |
| 100 + | Kr. 37,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5059
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -42A | ||
Drain source spænding maks. Vds -55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanals HEXFET Power MOSFET er designet specielt til brug i biler. Denne effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 94 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 85 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101