Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101 AUIRF4905STRL
- RS-varenummer:
- 260-5059
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 48,77
(ekskl. moms)
Kr. 60,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 375 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 48,77 |
| 10 - 24 | Kr. 46,30 |
| 25 - 49 | Kr. 45,40 |
| 50 - 99 | Kr. 42,49 |
| 100 + | Kr. 39,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5059
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 15.88mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -42A | ||
Drain source spænding maks. Vds -55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 15.88mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanals HEXFET Power MOSFET er designet specielt til brug i biler. Denne effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 70 A HEXFET AUIRF4905STRL
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V HEXFET IRFS3306TRLPBF
- Infineon N-Kanal 44 A 200 V HEXFET IRFS38N20DTRLP
- Infineon N-Kanal 110 A 60 V HEXFET IRFS7540TRLPBF
- Infineon N-Kanal 210 A 60 V HEXFET IRFS3206TRRPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V I2PAK (TO-262), HEXFET IRF4905LPBF
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V HEXFET IRFR7446TRPBF
