Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 260-5058
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 18.788,80
(ekskl. moms)
Kr. 23.486,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 23,486 | Kr. 18.788,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-5058
- Producentens varenummer:
- AUIRF4905STRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -42A | ||
Drain source spænding maks. Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanals HEXFET Power MOSFET er designet specielt til brug i biler. Denne effekt-MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.
Avanceret procesteknologi
Meget lav modstand ved tændt
Hurtig omskiftning
Gentagende lavine er tilladt op til Tjmax
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 85 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 38 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101