Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-varenummer:: 831-2834
Producentens varenummer:: IRF5305STRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 87,82

(ekskl. moms)

Kr. 109,78

(inkl. moms)

Tilføj 80 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

På lager

90 enhed(er) klar til afsendelse
Plus 410 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 50 enhed(er) afsendes fra 26. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 40	Kr. 8,782	Kr. 87,82
50 - 90	Kr. 6,941	Kr. 69,41
100 - 240	Kr. 6,50	Kr. 65,00
250 - 490	Kr. 6,059	Kr. 60,59
500 +	Kr. 5,617	Kr. 56,17

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 831-2834
Producentens varenummer:: IRF5305STRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	31A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	60mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	110W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	4.83mm
	Længde	10.67mm
	Bredde	9.65 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-263
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 60mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 110W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 4.83mm
	Længde 10.67mm
	Bredde 9.65 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRF5305STRLPBF

Denne P-kanal-MOSFET er skræddersyet til højeffektive applikationer og leverer pålidelighed og ydeevne. Den anvender enhancement mode-funktionalitet, hvilket gør den alsidig til forskellige elektroniske kredsløb. Med sine robuste specifikationer er den en velegnet løsning til automatisering og strømstyring i elektriske og mekaniske miljøer.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A

• Maksimal drain-kildespænding på 55V

• Overflademonteringskonfiguration til problemfri integration

• Maksimal effektafledningskapacitet på 110W for effektiv drift

• Forbedret termisk ydeevne med en maksimal driftstemperatur på +175 °C

• Lav tændingsmodstand på 60mΩ for forbedret effektivitet

Anvendelsesområder

• Til brug med motorstyringer

• Velegnet til strømforsyningskredsløb

• Elektronisk omskiftning

• Løsninger til energistyring

Hvad er den maksimale gate-tærskelspænding?

Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, hvilket giver tilstrækkelig kontrol i kredsløbsdesignet.

Hvordan håndterer MOSFET'en varme?

Den har en maksimal effektafledning på 110 W, hvilket muliggør effektiv varmestyring i krævende applikationer.

Er dette produkt kompatibelt med overflademonterede designs?

Ja, den kommer i en D2PAK-pakke, der er designet specielt til overflademontering.

Hvad er den mindste driftstemperatur for funktionalitet?

Enheden fungerer effektivt ved en minimumstemperatur på -55 °C, hvilket sikrer alsidighed i forskellige miljøer.

Hvordan påvirker on-resistensen ydeevnen?

Den lave maksimale drain source-modstand på 60mΩ bidrager til højere effektivitet og ydeevne i strømforsyningsapplikationer.