Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF4905STRLPBF
- RS-varenummer:
- 831-2819
- Producentens varenummer:
- IRF4905STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,91
(ekskl. moms)
Kr. 114,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 195 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
- Plus 14.635 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 18,382 | Kr. 91,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 831-2819
- Producentens varenummer:
- IRF4905STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Distrelec Product Id | 304-44-444 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Distrelec Product Id 304-44-444 | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 70A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRF4905STRLPBF
Denne højstrøms-MOSFET er velegnet til forskellige anvendelser inden for automatisering og elektronik. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 70A fungerer den ved drain-source-spændinger på op til 55V. Dens konfiguration i enhancement mode opfylder kravene til ydeevne, mens dens lave RDS(on) maksimerer energieffektiviteten. Denne MOSFET er designet til applikationer med høj effekt og har termisk stabilitet, hvilket gør den velegnet til krævende driftsforhold.
Egenskaber og fordele
• Forbedrer systemets effektivitet gennem lave on-resistance-værdier
• Fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55°C til +150°C
• Understøtter hurtige skiftehastigheder for at forbedre ydeevnen
• Har et robust design til gentagne lavineforhold
• Leveres i en D2PAK TO-263-pakke til enkel overflademontering
Anvendelsesområder
• Bruges i strømstyringssystemer og omformere
• Egnet til motorisk kontrol der kræver høj effektivitet
• Integreret i switching-strømforsyninger for forbedret ydeevne
• Kan anvendes i bilmiljøer med behov for pålidelig kontrol
• Anvendes i industriel automatisering, der kræver betydelig effekthåndtering
Hvad er den maksimale temperatur, denne enhed kan arbejde ved?
Enheden har en maksimal driftstemperatur på +150 °C, hvilket sikrer stabilitet under varierende miljøforhold.
Hvordan gavner den lave RDS(on) kredsløbsdesignet?
Lav RDS(on) minimerer ledningstab, forbedrer den samlede kredsløbseffektivitet og muliggør køligere drift.
Kan denne komponent håndtere pulserende strømme?
Ja, den er i stand til at håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 280 A, hvilket gør den velegnet til dynamiske anvendelser.
Hvad er de vigtigste parametre for at vælge kompatible drivspændinger?
Gate-to-source-spændingen skal ligge inden for området -20 V til +20 V for at garantere effektiv drift uden risiko for skader.
Er den egnet til højfrekvente switching-applikationer?
Enheden er designet til hurtig omskiftning, hvilket gør den velegnet til højfrekvente driftsfunktioner i elektroniske kredsløb.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 70 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905STRLPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF5305STRLPBF
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 85 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010NSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 51 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF3205ZSTRLPBF
