Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 831-2819
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-444
- Producentens varenummer:
- IRF4905STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,91
(ekskl. moms)
Kr. 114,89
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 14.615 enhed(er) afsendes fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 18,382 | Kr. 91,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 831-2819
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-444
- Producentens varenummer:
- IRF4905STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 70A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 170W maksimal effektafledning - IRF4905STRLPBF
Denne højstrøms-MOSFET er velegnet til forskellige anvendelser inden for automatisering og elektronik. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 70A fungerer den ved drain-source-spændinger på op til 55V. Dens konfiguration i enhancement mode opfylder kravene til ydeevne, mens dens lave RDS(on) maksimerer energieffektiviteten. Denne MOSFET er designet til applikationer med høj effekt og har termisk stabilitet, hvilket gør den velegnet til krævende driftsforhold.
Egenskaber og fordele
• Forbedrer systemets effektivitet gennem lave on-resistance-værdier
• Fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55°C til +150°C
• Understøtter hurtige skiftehastigheder for at forbedre ydeevnen
• Har et robust design til gentagne lavineforhold
• Leveres i en D2PAK TO-263-pakke til enkel overflademontering
Anvendelsesområder
• Bruges i strømstyringssystemer og omformere
• Egnet til motorisk kontrol der kræver høj effektivitet
• Integreret i switching-strømforsyninger for forbedret ydeevne
• Kan anvendes i bilmiljøer med behov for pålidelig kontrol
• Anvendes i industriel automatisering, der kræver betydelig effekthåndtering
Hvad er den maksimale temperatur, denne enhed kan arbejde ved?
Enheden har en maksimal driftstemperatur på +150 °C, hvilket sikrer stabilitet under varierende miljøforhold.
Hvordan gavner den lave RDS(on) kredsløbsdesignet?
Lav RDS(on) minimerer ledningstab, forbedrer den samlede kredsløbseffektivitet og muliggør køligere drift.
Kan denne komponent håndtere pulserende strømme?
Ja, den er i stand til at håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 280 A, hvilket gør den velegnet til dynamiske anvendelser.
Hvad er de vigtigste parametre for at vælge kompatible drivspændinger?
Gate-to-source-spændingen skal ligge inden for området -20 V til +20 V for at garantere effektiv drift uden risiko for skader.
Er den egnet til højfrekvente switching-applikationer?
Enheden er designet til hurtig omskiftning, hvilket gør den velegnet til højfrekvente driftsfunktioner i elektroniske kredsløb.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF4905SPBF
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
