Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 6.124,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.655,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 7,655Kr. 6.124,00
1600 - 1600Kr. 7,459Kr. 5.967,20
2400 +Kr. 7,272Kr. 5.817,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6743
Producentens varenummer:
IRF9Z34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.