Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 4.876,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.095,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 800 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 6,095Kr. 4.876,00
1600 +Kr. 5,79Kr. 4.632,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
222-4734
Producentens varenummer:
IRF3205ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Portkildespænding maks.

20 V

Bredde

9.65 mm

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Advanced Process

Ultra-lav modstand hurtig omskiftning

Blyfri, Overholder RoHS

Relaterede links