Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF3205ZSTRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 106,32

(ekskl. moms)

Kr. 132,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.060 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,632Kr. 106,32
50 - 90Kr. 10,105Kr. 101,05
100 - 240Kr. 9,679Kr. 96,79
250 - 490Kr. 9,253Kr. 92,53
500 +Kr. 8,617Kr. 86,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4735
Producentens varenummer:
IRF3205ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Advanced Process

Ultra-lav modstand hurtig omskiftning

Blyfri, Overholder RoHS

Relaterede links