Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 222-4735
- Producentens varenummer:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 120,28
(ekskl. moms)
Kr. 150,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 880 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 12,028 | Kr. 120,28 |
| 50 - 90 | Kr. 11,429 | Kr. 114,29 |
| 100 - 240 | Kr. 10,936 | Kr. 109,36 |
| 250 - 490 | Kr. 10,457 | Kr. 104,57 |
| 500 + | Kr. 9,746 | Kr. 97,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4735
- Producentens varenummer:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Advanced Process
Ultra-lav modstand hurtig omskiftning
Blyfri, Overholder RoHS
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101