Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 77,12

(ekskl. moms)

Kr. 96,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 7,712Kr. 77,12
50 - 90Kr. 7,323Kr. 73,23
100 - 240Kr. 7,009Kr. 70,09
250 - 490Kr. 6,702Kr. 67,02
500 +Kr. 6,246Kr. 62,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4735
Producentens varenummer:
IRF3205ZSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Effektafsættelse maks. Pd

170W

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bredde

9.65 mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af HEXFET ® Power MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Advanced Process

Ultra-lav modstand hurtig omskiftning

Blyfri, Overholder RoHS

Relaterede links

Recently viewed