Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 3.044,80

(ekskl. moms)

Kr. 3.806,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
800 - 800Kr. 3,806Kr. 3.044,80
1600 - 1600Kr. 3,616Kr. 2.892,80
2400 +Kr. 3,387Kr. 2.709,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
262-6782
Producentens varenummer:
IRFZ34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.075Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links