Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6782
- Producentens varenummer:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 262-6782
- Producentens varenummer:
- IRFZ34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.075Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.075Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.
Fuldt lavineret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 94 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101