Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 145-8936
- Producentens varenummer:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 3.060,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.824,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.600 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | Kr. 3,825 | Kr. 3.060,00 |
| 1600 - 1600 | Kr. 3,634 | Kr. 2.907,20 |
| 2400 + | Kr. 3,404 | Kr. 2.723,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8936
- Producentens varenummer:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 11.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 11.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRLZ34NSTRLPBF
Denne højtydende N-kanal MOSFET muliggør effektiv kobling og forstærkning i forskellige elektriske applikationer. Med en kontinuerlig drain-strømkapacitet på 30A og en maksimal drain-source-spænding på 55V passer den til applikationer i bilindustrien, industrien og forbrugerelektronik. Dens overflademonterede design forenkler integrationen i moderne printkort, hvilket gør den til en nøglekomponent for effektiv strømstyring.
Egenskaber og fordele
• Lav gate-tærskelspænding for øget skiftehastighed
• Lav RDS(on) for effektivt strømforbrug
• Høj varmebestandighed muliggør drift ved høje temperaturer
• Maksimal effektafledning på 68 W bidrager til holdbarheden
• Overflademonteringsteknologi understøtter kompakte designs
• Effektivt drev med høj gateopladning ved 5V
Anvendelsesområder
• Strømforsyningskredsløb til effektiv spændingsregulering
• Motorstyring der kræver hurtig omstilling
• DC-DC-konvertere til forbedret effektivitet
• Præcisionsinstrumenter til pålidelig ydelse
• Biler med høje krav til pålidelighed
Hvad er den maksimale kontinuerlige strøm, som denne komponent kan håndtere?
Enheden kan håndtere en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 30A.
Hvordan klarer denne MOSFET den termiske ydeevne?
Den fungerer ved en maksimal temperatur på +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed i miljøer med høje temperaturer.
Kan det bruges i bilindustrien?
Ja, dens robuste konstruktion og høje temperaturtolerance gør den velegnet til forskellige kredsløb i bilindustrien.
Hvilken type kredsløbskonfigurationer kan den understøtte?
MOSFET'en understøtter transistorkonfigurationer i enhancement mode, hvilket er ideelt til switching-applikationer.
Er det kompatibelt med overflademonterede kredsløbsdesigns?
Ja, pakketypen D2PAK (TO-263) gør det nemt at integrere i overflademonterede applikationer og gør det nemt at placere dem på printkort.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRLZ34NSTRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRFZ34NSTRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRF3205ZSTRLPBF
- Infineon Type N-Kanal 55 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRL2910STRLPBF
