Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 919-4763
Producentens varenummer:: IRF3205PBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 459,05

(ekskl. moms)

Kr. 573,80

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Begrænset lager

Plus 500 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 9,181	Kr. 459,05
100 - 200	Kr. 7,345	Kr. 367,25
250 - 450	Kr. 6,886	Kr. 344,30
500 - 950	Kr. 6,427	Kr. 321,35
1000 +	Kr. 5,968	Kr. 298,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4763
Producentens varenummer:: IRF3205PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	110A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	200W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	146nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.54mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	8.77mm
	Bredde	4.69 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 200W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 146nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.54mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 8.77mm
	Bredde 4.69 mm
	Bilindustristandarder Nej

Log ind for at downloade CAD-modeller

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 110A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 55V maksimal drænkildespænding - IRF3205PBF

Denne HEXFET MOSFET er en højtydende effektelektronikkomponent, der er designet til krævende anvendelser. Den har en N-kanal-konfiguration med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 110 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V. TO-220AB-pakken sikrer effektiv varmestyring og er velegnet til brug i en række forskellige industrielle miljøer.

Egenskaber og fordele

• Kan fungere ved høje temperaturer op til +175 °C

• Tilbyder hurtige skifteegenskaber for forbedret ydeevne

• Fremragende lavineklassificering for ekstra holdbarhed

• Enhancement mode-design giver stabil drift

• Designet til nem brug ved montering gennem huller

Anvendelser

• Bruges til strømkonvertering i strømforsyninger

• Velegnet til motorstyring

• Anvendes i batteristyringssystemer

• Anvendes i højfrekvente switching-kredsløb

• Integreret i strømsystemer til forbrugerelektronik

Hvilke termiske egenskaber skal man tage hensyn til for denne komponent?

Den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,75 °C/W, og modstanden fra kabinettet til soklen kan være så lav som 0,50 °C/W, når den anvendes på en flad, smurt overflade. Det er vigtigt for at opretholde optimal ydeevne under høj belastning.

Hvordan kan specifikationerne påvirke den samlede performance?

Den lave on-modstand og den høje kontinuerlige drain-strøm giver mulighed for reduceret effekttab og forbedret termisk effektivitet, hvilket fører til øget pålidelighed i forskellige applikationer.

Hvilke metoder kan anvendes til effektiv varmeafledning?

Brug af en kølelegeme sammen med TO-220AB-pakken kan i høj grad forbedre varmeafledningen under drift og sikre, at enheden forbliver inden for sikre termiske grænser.