Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 919-4763
- Producentens varenummer:
- IRF3205PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 569,00
(ekskl. moms)
Kr. 711,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,38 | Kr. 569,00 |
| 100 - 200 | Kr. 9,103 | Kr. 455,15 |
| 250 - 450 | Kr. 8,535 | Kr. 426,75 |
| 500 - 950 | Kr. 7,965 | Kr. 398,25 |
| 1000 + | Kr. 7,396 | Kr. 369,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4763
- Producentens varenummer:
- IRF3205PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 146nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.69mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.54mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 146nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.69mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.54mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 110A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 55V maksimal drænkildespænding - IRF3205PBF
Denne HEXFET MOSFET er en højtydende effektelektronikkomponent, der er designet til krævende anvendelser. Den har en N-kanal-konfiguration med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 110 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V. TO-220AB-pakken sikrer effektiv varmestyring og er velegnet til brug i en række forskellige industrielle miljøer.
Egenskaber og fordele
• Kan fungere ved høje temperaturer op til +175 °C
• Tilbyder hurtige skifteegenskaber for forbedret ydeevne
• Fremragende lavineklassificering for ekstra holdbarhed
• Enhancement mode-design giver stabil drift
• Designet til nem brug ved montering gennem huller
Anvendelser
• Bruges til strømkonvertering i strømforsyninger
• Velegnet til motorstyring
• Anvendes i batteristyringssystemer
• Anvendes i højfrekvente switching-kredsløb
• Integreret i strømsystemer til forbrugerelektronik
Hvilke termiske egenskaber skal man tage hensyn til for denne komponent?
Den termiske modstand fra forbindelsen til kabinettet er 0,75 °C/W, og modstanden fra kabinettet til soklen kan være så lav som 0,50 °C/W, når den anvendes på en flad, smurt overflade. Det er vigtigt for at opretholde optimal ydeevne under høj belastning.
Hvordan kan specifikationerne påvirke den samlede performance?
Den lave on-modstand og den høje kontinuerlige drain-strøm giver mulighed for reduceret effekttab og forbedret termisk effektivitet, hvilket fører til øget pålidelighed i forskellige applikationer.
Hvilke metoder kan anvendes til effektiv varmeafledning?
Brug af en kølelegeme sammen med TO-220AB-pakken kan i høj grad forbedre varmeafledningen under drift og sikre, at enheden forbliver inden for sikre termiske grænser.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 47 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET