Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 49 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 919-4769
- Producentens varenummer:
- IRFZ44NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 337,10
(ekskl. moms)
Kr. 421,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 25. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,742 | Kr. 337,10 |
| 100 - 200 | Kr. 5,529 | Kr. 276,45 |
| 250 - 450 | Kr. 5,124 | Kr. 256,20 |
| 500 - 1200 | Kr. 4,787 | Kr. 239,35 |
| 1250 + | Kr. 4,451 | Kr. 222,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4769
- Producentens varenummer:
- IRFZ44NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 49A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 4.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 49A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 4.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 49A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 94W maksimal effektafledning - IRFZ44NPBF
Denne MOSFET er designet til at fungere i applikationer inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Den kan håndtere høje strømniveauer med lav modstand, hvilket forbedrer effektiviteten i elektroniske kredsløb. Med HEXFET-teknologi giver enheden forbedret pålidelighed og effektivitet i forskellige miljøer.
Egenskaber og fordele
• Udnytter enhancement mode til responsiv kontrol
• Lav modstand på 17,5 mΩ for effektiv strømstyring
• Hurtige skiftehastigheder for forbedret systemydelse
Anvendelsesområder
• Velegnet til DC-DC-konvertere
• Motordrev og kontrolsystemer
• Systemer til vedvarende energi, f.eks. solcelleinvertere
Hvilken indflydelse har den lave modstand på ydeevnen?
Den lave on-modstand på 17,5 mΩ øger effektiviteten ved at minimere energitab under drift, hvilket er en fordel i højstrømskredsløb.
Hvordan påvirker temperaturen den kontinuerlige afløbsstrøm?
Den kontinuerlige afløbsstrøm er på 49 A ved 25 °C og falder til 35 A ved 100 °C, hvilket sikrer sikker brug i forskellige miljøer.
Kan denne komponent håndtere gentagne lavineforhold?
Ja, den er designet til at modstå gentagne lavineforhold med en lavinestrøm på op til 25A og en lavinenergi på 9,4mJ, hvilket giver ekstra holdbarhed.
Hvilken type applikationer har mest gavn af at bruge denne MOSFET?
Denne komponent er især nyttig i applikationer med høj effekt, herunder industrielle automationsstyringer og bilsystemer, der kræver effektiv energiomdannelse.
Er det kompatibelt med standard PCB-designs?
Ja, TO-220AB-pakken bruges i vid udstrækning i forskellige PCB-layouts, så den nemt kan integreres i eksisterende designs.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRFZ44NPBF
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
