Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 49 A 55 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFZ44NPBF

    RS-varenummer:
    919-4769
    Producentens varenummer:
    IRFZ44NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    1200 lager til afsendelse samme dag
    Add to Basket
    Enheder

    Dag til dag levering ikke mulig

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,186

    (ekskl. moms)

    kr 13,982

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 11,186kr 559,30
    100 - 200kr 10,852kr 542,60
    250 - 450kr 10,515kr 525,75
    500 +kr 10,067kr 503,35
    RS-varenummer:
    919-4769
    Producentens varenummer:
    IRFZ44NPBF
    Brand:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    MX

    Lovgivning og oprindelsesland

    COO (Country of Origin):
    MX

    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.49 A
    Drain source spænding maks.55 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.17,5 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port4V
    Mindste tærskelspænding for port2V
    Effektafsættelse maks.94 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    TransistormaterialeSi
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Gate-ladning ved Vgs typisk63 nC ved 10 V
    Antal elementer per chip1
    SerieHEXFET
    Højde8.77mm
    Driftstemperatur min.-55 °C
    1200 lager til afsendelse samme dag
    Add to Basket
    Enheder

    Dag til dag levering ikke mulig

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,186

    (ekskl. moms)

    kr 13,982

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 50kr 11,186kr 559,30
    100 - 200kr 10,852kr 542,60
    250 - 450kr 10,515kr 525,75
    500 +kr 10,067kr 503,35