Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 543-1099
- Producentens varenummer:
- IRF1405PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 16,61
(ekskl. moms)
Kr. 20,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 1.767 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 234 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 16,61 |
| 10 - 24 | Kr. 15,78 |
| 25 - 49 | Kr. 15,18 |
| 50 - 99 | Kr. 14,06 |
| 100 + | Kr. 13,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-1099
- Producentens varenummer:
- IRF1405PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 169A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 170nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 169A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 169A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 330W maksimal effektafledning - IRF1405PBF
Denne MOSFET er beregnet til forskellige anvendelser og giver en stærk ydeevne i strømstyringsløsninger. Med sine robuste specifikationer og avancerede forarbejdningsteknikker er det en nøglekomponent i automations- og elektroniksektoren. Dens evne til at håndtere høje strømme og spændinger gør den vigtig for mange industrielle processer.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 169A forbedrer holdbarheden
• Vurderet til 55V, hvilket sikrer drift under højspændingsforhold
• Lav tændingsmodstand på 5mΩ minimerer strømtab under drift
• Hurtig omskiftning øger systemets effektivitet
• Har forbedringstilstand for optimal drift
Anvendelsesområder
• Bruges i industrielle motordrev til effektiv styring
• Velegnet til høj strømstyrke i strømforsyninger
• Ideel til automatiseringsudstyr, der driver motorer
• Effektiv i omformere og invertere til vedvarende energisystemer
Hvad er den maksimale grænse for gate-to-source-spænding?
Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver sikker drift.
Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?
Den fungerer effektivt op til 175 °C, hvilket giver pålidelighed under høje temperaturer.
Hvilke faktorer skal man tage hensyn til under installationen?
Sørg for korrekt monteringsmoment, og tag højde for kølelegemets termiske modstand for at opretholde en effektiv ydelse.
Kan den bruges i switching-applikationer?
Ja, den har hurtige skiftefunktioner, der passer til højhastighedsapplikationer og reducerer responstiden.
Hvilke gate-ladningsværdier kan forventes under drift?
Den typiske gate-ladning er 170nC ved 10V, hvilket gør det muligt at tænde og slukke hurtigt.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 169 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET