Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 543-1099
Producentens varenummer:: IRF1405PBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 169 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 16,61

(ekskl. moms)

Kr. 20,76

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 1 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Plus 1.782 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Plus 234 enhed(er) afsendes fra 20. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 - 9	Kr. 16,61
10 - 24	Kr. 15,78
25 - 49	Kr. 15,18
50 - 99	Kr. 14,06
100 +	Kr. 13,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 543-1099
Producentens varenummer:: IRF1405PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	169A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	170nC
	Effektafsættelse maks. Pd	330W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	8.77mm
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 169A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 170nC
	Effektafsættelse maks. Pd 330W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 8.77mm
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Log ind for at downloade CAD-modeller

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 169A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 330W maksimal effektafledning - IRF1405PBF

Denne MOSFET er beregnet til forskellige anvendelser og giver en stærk ydeevne i strømstyringsløsninger. Med sine robuste specifikationer og avancerede forarbejdningsteknikker er det en nøglekomponent i automations- og elektroniksektoren. Dens evne til at håndtere høje strømme og spændinger gør den vigtig for mange industrielle processer.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 169A forbedrer holdbarheden

• Vurderet til 55V, hvilket sikrer drift under højspændingsforhold

• Lav tændingsmodstand på 5mΩ minimerer strømtab under drift

• Hurtig omskiftning øger systemets effektivitet

• Har forbedringstilstand for optimal drift

Anvendelsesområder

• Bruges i industrielle motordrev til effektiv styring

• Velegnet til høj strømstyrke i strømforsyninger

• Ideel til automatiseringsudstyr, der driver motorer

• Effektiv i omformere og invertere til vedvarende energisystemer

Hvad er den maksimale grænse for gate-to-source-spænding?

Den maksimale gate-to-source-spænding er ±20V, hvilket giver sikker drift.

Hvordan håndterer denne enhed varmestyring?

Den fungerer effektivt op til 175 °C, hvilket giver pålidelighed under høje temperaturer.

Hvilke faktorer skal man tage hensyn til under installationen?

Sørg for korrekt monteringsmoment, og tag højde for kølelegemets termiske modstand for at opretholde en effektiv ydelse.

Kan den bruges i switching-applikationer?

Ja, den har hurtige skiftefunktioner, der passer til højhastighedsapplikationer og reducerer responstiden.

Hvilke gate-ladningsværdier kan forventes under drift?

Den typiske gate-ladning er 170nC ved 10V, hvilket gør det muligt at tænde og slukke hurtigt.