Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 47 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 919-4814
- Producentens varenummer:
- IRLZ44NPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 326,05
(ekskl. moms)
Kr. 407,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.000 enhed(er) afsendes fra 18. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,521 | Kr. 326,05 |
| 100 - 200 | Kr. 4,826 | Kr. 241,30 |
| 250 - 450 | Kr. 4,50 | Kr. 225,00 |
| 500 - 950 | Kr. 4,174 | Kr. 208,70 |
| 1000 + | Kr. 3,848 | Kr. 192,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-4814
- Producentens varenummer:
- IRLZ44NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.54mm | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 47A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRLZ44NPBF
Denne højtydende N-kanal MOSFET fra Infineon er designet til effektiv switching og betydelig effekthåndtering i elektroniske systemer. Ved hjælp af avanceret HEXFET-teknologi henvender den sig til forskellige halvlederapplikationer, hvilket gør den velegnet til fagfolk inden for automatisering, elektronik og elektroteknik, der søger robust ydeevne inden for strømstyring.
Egenskaber og fordele
• Understøtter kontinuerlig afløbsstrøm på op til 47A for effektiv strømforsyning
• Fungerer ved en drain-source-spænding på 55 V, hvilket øger anvendelsesmulighederne
• Maksimal effektafledning på 110 W optimerer den termiske styring
• Enhancement mode-design sikrer effektiv omskiftning og kontrol
• Lav gate-tærskelspænding på 1V til 2V muliggør styring med minimal drivspænding
• Høj strømstyrke med en lav tændingsmodstand på 22mΩ forbedrer effektiviteten
Anvendelsesområder
• Strømforsyningskredsløb, der kræver effektiv belastningskobling
• DC-DC-konvertere i vedvarende energisystemer
• Biler krævende høj ydeevne
• Motorstyringssystemer til forbedret driftseffektivitet
• Belysningssystemer, der kræver præcis effektregulering
Hvad er enhedens driftstemperaturområde?
Enheden fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed under forskellige miljøforhold.
Hvordan skal den monteres for at fungere optimalt?
Den er designet til gennemgående montering i en TO-220AB-pakke, hvilket muliggør effektiv varmeafledning under drift.
Kan den bruges sammen med andre strømstyringskomponenter?
Ja, den er kompatibel med en række strømstyrings- og switchingkomponenter og passer problemfrit ind i forskellige kredsløbsdesigns.
Hvad er konsekvenserne af gate-tærskelspændingsområdet?
En gate-tærskelspænding på 1V til 2V gør det nemt at køre med standardsignalniveauer, hvilket forenkler kredsløbsdesign og forbedrer kompatibiliteten.
Er den egnet til højfrekvente anvendelser?
Med en lav gate-ladning på 48nC ved 5V understøtter den højfrekvente switching-applikationer, hvilket bidrager til den samlede effektivitet i strømsystemer.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 47 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej IRLZ44NPBF
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
