Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 919-4797
Producentens varenummer:: IRFZ48NPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 919-4797
Producentens varenummer:: IRFZ48NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	64A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	14mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	130W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	81nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	8.77mm
	Længde	10.54mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.69mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 64A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 14mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 130W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 81nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 8.77mm
	Længde 10.54mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.69mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 64A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRFZ48NPBF

Denne power-MOSFET er velegnet til højeffektive anvendelser med robust ydeevne og avancerede behandlingsmetoder. Det er en pålidelig løsning til en lang række elektroniske designs, især i scenarier, hvor strømeffektivitet er afgørende.

Egenskaber og fordele

• Understøtter kontinuerlige afløbsstrømme på op til 64A

• Udnytter enhancement mode til forbedrede skifteegenskaber

• Lav RDS(on) på 14mΩ forbedrer effektiviteten

• Fungerer pålideligt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C

• Kan håndtere gate-source-spændinger på op til ±20V

• Fuldt lavineklassificeret for sikkerhed under transiente forhold

Anvendelsesområder

• Kørsel af induktive belastninger i automatiseringssystemer

• Strømstyringskredsløb i industrielt udstyr

• Elektriske systemer og effektomformere til biler

• DC-DC-konvertere og strømforsyninger

• Motorstyring der kræver høj effektivitet

Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet?

Enheden kan klare en maksimal effektafledning på 130 W, når den er tilstrækkeligt afkølet, hvilket sikrer effektiv termisk styring i scenarier med høj belastning.

Hvordan påvirker driftstemperaturområdet ydeevnen?

Det omfattende driftstemperaturområde på -55 °C til +175 °C gør, at enheden kan fungere pålideligt under en række forskellige miljøforhold.

Er denne enhed kompatibel med standard PCB-layouts?

Ja, den fås i en TO-220AB-pakke, som ofte bruges i industrien til enkel PCB-montering og effektiv varmeafledning.

Hvilke applikationer har mest gavn af denne komponents hurtige skiftehastighed?

Power MOSFET'er med hurtige skiftefunktioner er ideelle til applikationer som switch mode-strømforsyninger og højfrekvente omformere, hvor lave skiftetab er afgørende.

Hvordan skal enheden håndteres under installationen?

Sørg for korrekt monteringsmoment under installationen, og undgå for høje loddetemperaturer. Det anbefales at følge de almindelige sikkerhedsretningslinjer for at undgå skader.