Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFZ48NPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 4,04

(ekskl. moms)

Kr. 5,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 33 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 132 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 822 enhed(er) afsendes fra 15. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 4,04
10 - 49Kr. 3,59
50 - 99Kr. 3,29
100 - 249Kr. 3,14
250 +Kr. 3,07

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
540-9957
Producentens varenummer:
IRFZ48NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

64A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-220

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

14mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

81nC

Effektafsættelse maks. Pd

130W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.54mm

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 64A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 130W maksimal effektafledning - IRFZ48NPBF


Denne power-MOSFET er velegnet til højeffektive anvendelser med robust ydeevne og avancerede behandlingsmetoder. Det er en pålidelig løsning til en lang række elektroniske designs, især i scenarier, hvor strømeffektivitet er afgørende.

Egenskaber og fordele


• Understøtter kontinuerlige afløbsstrømme på op til 64A

• Udnytter enhancement mode til forbedrede skifteegenskaber

• Lav RDS(on) på 14mΩ forbedrer effektiviteten

• Fungerer pålideligt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C

• Kan håndtere gate-source-spændinger på op til ±20V

• Fuldt lavineklassificeret for sikkerhed under transiente forhold

Anvendelsesområder


• Kørsel af induktive belastninger i automatiseringssystemer

• Strømstyringskredsløb i industrielt udstyr

• Elektriske systemer og effektomformere til biler

• DC-DC-konvertere og strømforsyninger

• Motorstyring der kræver høj effektivitet

Hvad er den maksimale effektafledningskapacitet?


Enheden kan klare en maksimal effektafledning på 130 W, når den er tilstrækkeligt afkølet, hvilket sikrer effektiv termisk styring i scenarier med høj belastning.

Hvordan påvirker driftstemperaturområdet ydeevnen?


Det omfattende driftstemperaturområde på -55 °C til +175 °C gør, at enheden kan fungere pålideligt under en række forskellige miljøforhold.

Er denne enhed kompatibel med standard PCB-layouts?


Ja, den fås i en TO-220AB-pakke, som ofte bruges i industrien til enkel PCB-montering og effektiv varmeafledning.

Hvilke applikationer har mest gavn af denne komponents hurtige skiftehastighed?


Power MOSFET'er med hurtige skiftefunktioner er ideelle til applikationer som switch mode-strømforsyninger og højfrekvente omformere, hvor lave skiftetab er afgørende.

Hvordan skal enheden håndteres under installationen?


Sørg for korrekt monteringsmoment under installationen, og undgå for høje loddetemperaturer. Det anbefales at følge de almindelige sikkerhedsretningslinjer for at undgå skader.

Relaterede links