Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRLZ34NPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 8,23

(ekskl. moms)

Kr. 10,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 201 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 8,23
10 - 49Kr. 7,48
50 - 99Kr. 7,03
100 - 249Kr. 6,36
250 +Kr. 6,13

*Vejledende pris

RS-varenummer:
541-1247
Elfa Distrelec varenummer:
303-41-411
Producentens varenummer:
IRLZ34NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

35mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

68W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.54mm

Bredde

4.69 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

8.77mm

Distrelec Product Id

30341411

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 68W maksimal effektafledning - IRLZ34NPBF


Denne højtydende N-kanal MOSFET er designet til effektivitet i forskellige elektroniske applikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 30A og kan håndtere drain-source-spændinger på op til 55V. Den forbedrede funktion sikrer drift under forskellige forhold, hvilket gør den til en værdifuld komponent til strømstyring på tværs af forskellige sektorer.

Egenskaber og fordele


• Lav tændingsmodstand på 35mΩ reducerer strømtab

• Høj effektafledningskapacitet på 68W forbedrer ydeevnen

• Driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C sikrer alsidighed

• Typisk gate-opladning på 25nC ved 5V giver hurtigere skift

• Kompakt TO-220AB-pakke muliggør effektivt PCB-layout

Anvendelsesområder


• Anvendes i DC-DC-konvertere til effektiv strømkonvertering

• Velegnet til motordriverkredsløb i industriel automatisering

• Effektiv i strømstyringssystemer til vedvarende energi

• Bruges til højhastighedsskift til telekommunikation

Hvad er den maksimale gate-source-spænding?


Enheden kan modstå en maksimal gate-source-spænding på ±16V, hvilket giver sikker drift i forskellige kredsløb.

Hvordan påvirker temperaturen dens ydeevne?


MOSFET'en fungerer effektivt i et temperaturområde fra -55 °C til +175 °C og bevarer stabiliteten under ekstreme forhold.

Kan den bruges i højfrekvente applikationer?


Ja, den er designet med en typisk gate-ladning på 25nC ved 5V, hvilket gør den velegnet til højfrekvente anvendelser som RF-forstærkere.

Hvad er konsekvenserne af lav Rds(on)?


En lavere Rds(on)-værdi reducerer varmeudviklingen og effekttabet betydeligt, hvilket forbedrer den samlede effektivitet i strømforsyningsdesigns.

Er den kompatibel med forskellige elektroniske kredsløb?


Denne enhed er alsidig og kan integreres i forskellige kredsløbskonfigurationer, herunder effektelektronik til biler og industri.

Relaterede links