Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 A 55 V, 3 ben, TO-247AC, HEXFET IRFP064NPBF

    RS-varenummer:
    919-4808
    Producentens varenummer:
    IRFP064NPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 25)

    kr 23,03

    (ekskl. moms)

    kr 28,79

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    25 - 25kr 23,03kr 575,75
    50 - 100kr 22,338kr 558,45
    125 - 225kr 21,649kr 541,225
    250 +kr 20,728kr 518,20
    RS-varenummer:
    919-4808
    Producentens varenummer:
    IRFP064NPBF
    Brand:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    MX

    Lovgivning og oprindelsesland

    COO (Country of Origin):
    MX

    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.110 A
    Drain source spænding maks.55 V
    KapslingstypeTO-247AC
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.8 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port4V
    Mindste tærskelspænding for port2V
    Effektafsættelse maks.200 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    Længde15.9mm
    TransistormaterialeSi
    Bredde5.3mm
    Antal elementer per chip1
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Gate-ladning ved Vgs typisk170 nC ved 10 V
    Driftstemperatur min.-55 °C
    Højde20.3mm
    SerieHEXFET
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 25)

    kr 23,03

    (ekskl. moms)

    kr 28,79

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    25 - 25kr 23,03kr 575,75
    50 - 100kr 22,338kr 558,45
    125 - 225kr 21,649kr 541,225
    250 +kr 20,728kr 518,20