Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 907-4996
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-460
- Producentens varenummer:
- IRFP1405PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 102,78
(ekskl. moms)
Kr. 128,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 180 enhed(er) afsendes fra 26. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 20,556 | Kr. 102,78 |
| 25 - 45 | Kr. 18,73 | Kr. 93,65 |
| 50 - 120 | Kr. 17,474 | Kr. 87,37 |
| 125 - 245 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 250 + | Kr. 15,004 | Kr. 75,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 907-4996
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-460
- Producentens varenummer:
- IRFP1405PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.31mm | |
| Bredde | 19.71 mm | |
| Længde | 15.29mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.31mm | ||
Bredde 19.71 mm | ||
Længde 15.29mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 160 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 209 A 75 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 94 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
