Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej IRFP4227PBF
- RS-varenummer:
- 650-4772
- Producentens varenummer:
- IRFP4227PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 29,77
(ekskl. moms)
Kr. 37,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 32 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 955 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 29,77 |
| 10 - 24 | Kr. 28,27 |
| 25 - 49 | Kr. 27,08 |
| 50 - 99 | Kr. 25,96 |
| 100 + | Kr. 24,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 650-4772
- Producentens varenummer:
- IRFP4227PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 25mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Højde | 20.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 25mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Højde 20.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 65A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 330W maksimal effektafledning - IRFP4227PBF
Denne MOSFET fungerer som en vigtig komponent i moderne elektroniske applikationer og tilbyder pålidelig kontrol og skift til højeffektsystemer. Den leverer robust ydeevne og effektivitet, hvilket gør den velegnet til en lang række industrielle opgaver, især i miljøer, hvor høj termisk modstand og lave ledningstab er afgørende. Enhancement mode-designet muliggør optimal drift under forskellige forhold, hvilket gør den ideel til automatisering, elektriske systemer og mekaniske applikationer.
Egenskaber og fordele
• Giver 65A kontinuerlig afløbsstrøm til intensive anvendelser
• Fungerer effektivt ved en maksimal drain-source-spænding på 200V
• Lav RDS(on) bidrager til energieffektivitet under brug
• Vurderet til høj temperaturtolerance op til 175 °C
• Optimeret til hurtige skift med minimale fald- og stigetider
• Giver fremragende evne til gentagne laviner for forbedret systempålidelighed
Anvendelsesområder
• Anvendes i energigenvindingssystemer for at øge effektiviteten
• Kompatibel med PDP sustain for effektiv performance
• Velegnet til motordrevne kredsløb med høj effekt, der kræver præcis styring
• Anvendes i switching-strømforsyninger inden for automatiseringsprocesser
• Bruges i professionelle lydforstærkere til effektiv håndtering af output
Hvad er den maksimale strøm, der kan håndteres ved høje temperaturer?
Den kan klare en kontinuerlig afløbsstrøm på 46 A ved 100 °C, hvilket sikrer funktionalitet i barske miljøer.
Hvordan fungerer denne komponent under pulserende forhold?
Den pulserende afløbsstrøm kan nå op på 130 A, hvilket gør den velegnet til transiente anvendelser.
Hvad er kravene til afkøling, når man bruger denne enhed?
Den har en termisk modstand på 0,45 °C/W fra krydsning til kabinet, hvilket kræver effektive varmeafledningsmekanismer for optimal drift.
Hvilken type montering er nødvendig for installationen?
Installationen kræver montering gennem et hul og er velegnet til robuste applikationer med behov for solide forbindelser.
Hvordan påvirker gate-ladningen skiftehastigheden?
Den har en typisk samlet gate-ladning på 70nC, hvilket giver mulighed for hurtig og effektiv switching, som er afgørende i højhastighedsapplikationer.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 94 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 130 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 200 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET Nej IRF200P223
