Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6989
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-35-445
- Producentens varenummer:
- IRFP3206PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 46,82
(ekskl. moms)
Kr. 58,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 34 tilbage, klar til afsendelse
- Plus 56 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 22 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,41 | Kr. 46,82 |
| 20 - 48 | Kr. 20,385 | Kr. 40,77 |
| 50 - 98 | Kr. 19,00 | Kr. 38,00 |
| 100 - 198 | Kr. 17,73 | Kr. 35,46 |
| 200 + | Kr. 16,38 | Kr. 32,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6989
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-35-445
- Producentens varenummer:
- IRFP3206PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 280W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 280W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Motorstyring og AC-DC synkron ensretter MOSFET, Infineon
Motorstyring MOSFET
Infineon tilbyder et omfattende udvalg af robuste N-kanal og P-kanal MOSFET enheder til motorstyring.
Synkron ensretter MOSFET
Et udvalg af synkron ensretter MOSFET-enheder til AC-DC strømforsyninger understøtter kundens behov for højere effekttæthed, mindre størrelse, større bærbarhed og mere fleksible systemer.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 200 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 130 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET