Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej IRFP4668PBF

RS-varenummer:: 688-7027
Producentens varenummer:: IRFP4668PBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej IRFP4668PBF

Indhold (1 enhed)*

Kr. 45,30

(ekskl. moms)

Kr. 56,62

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

1 enhed(er) klar til afsendelse
Plus 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 1.584 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.
1 +	Kr. 45,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 688-7027
Producentens varenummer:: IRFP4668PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	130A
	Drain source spænding maks. Vds	200V
	Emballagetype	TO-247
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	10mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	520W
	Portkildespænding maks.	30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	161nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	15.87mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	5.31 mm
	Højde	20.7mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130A
	Drain source spænding maks. Vds 200V
	Emballagetype TO-247
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 10mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 520W
	Portkildespænding maks. 30 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 161nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 15.87mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 5.31 mm
	Højde 20.7mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 130 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 200 V maksimal drænkildespænding - IRFP4668PBF

Denne MOSFET er en højtydende N-kanal-enhed, der er designet til effektiv strømstyring i forskellige applikationer. Den måler 15,87 mm i længden, 5,31 mm i bredden og 20,7 mm i højden og er anbragt i en TO-247AC-pakke. Med robuste specifikationer, herunder en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 130 A og en maksimal drain-source-spænding på 200 V, er den ideel til krævende elektriske anvendelser.

Egenskaber og fordele

• Forbedret kropsdiode for forbedret skifteydelse

• Lav Rds(on) på 10mΩ minimerer strømtab

• Høj effektivitet i synkrone ensretningskredsløb

• Øget robusthed under dynamiske dV/dt-forhold

• Fuldt karakteriseret lavine- og termisk ydeevne for pålidelighed

Anvendelser

• Bruges til højhastighedsstrømskift

• Velegnet til uafbrydelige strømforsyningssystemer

• Ideel til hårdt koblede og højfrekvente kredsløb

• Kan anvendes i forskellige automatiserings- og industrielle strømsystemer

Hvad er de termiske værdier for sikker drift?

Den maksimale effektafledning er på 520 W ved 25 °C, og forbindelsestemperaturen bør ikke overstige 175 °C for at sikre sikker drift.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen funktionaliteten?

Gate-tærskelspændingen varierer fra 3 V til 5 V, hvilket muliggør effektiv kontrol under switching-operationer, som er afgørende for pålidelig ydeevne i effektapplikationer.

Kan denne MOSFET håndtere høje pulserende strømbelastninger?

Ja, den er klassificeret til en pulserende afløbsstrøm på op til 520 A, hvilket gør den velegnet til tunge applikationer, der kræver høj strømhåndtering.