Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 160 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 165-8165
- Producentens varenummer:
- IRFP1405PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 513,875
(ekskl. moms)
Kr. 642,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 20,555 | Kr. 513,88 |
| 50 - 100 | Kr. 19,529 | Kr. 488,23 |
| 125 - 225 | Kr. 18,706 | Kr. 467,65 |
| 250 - 475 | Kr. 17,883 | Kr. 447,08 |
| 500 + | Kr. 16,648 | Kr. 416,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-8165
- Producentens varenummer:
- IRFP1405PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 160A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 5.31mm | |
| Længde | 15.29mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 160A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 5.31mm | ||
Længde 15.29mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 160 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 43 A 43 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 100 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 65 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET