Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6744
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-670
- Producentens varenummer:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 154,39
(ekskl. moms)
Kr. 192,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 180 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 15,439 | Kr. 154,39 |
| 50 - 90 | Kr. 14,676 | Kr. 146,76 |
| 100 - 240 | Kr. 14,04 | Kr. 140,40 |
| 250 - 490 | Kr. 13,419 | Kr. 134,19 |
| 500 + | Kr. 12,492 | Kr. 124,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6744
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-670
- Producentens varenummer:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.
Fuldt lavineret
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 70 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -42 A -55 V HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 210 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
