Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRF9Z34NSTRLPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 65,18

(ekskl. moms)

Kr. 81,48

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 790 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,518Kr. 65,18
50 - 90Kr. 6,193Kr. 61,93
100 - 240Kr. 5,924Kr. 59,24
250 - 490Kr. 5,662Kr. 56,62
500 +Kr. 5,273Kr. 52,73

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
262-6744
Producentens varenummer:
IRF9Z34NSTRLPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

TO-263

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-41-670

Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Dette design har funktioner som f.eks. 175 °C driftstemperatur, hurtig skiftehastighed.

Fuldt lavineret

Relaterede links