Infineon P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 ben, DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF

Denne MOSFET tilbyder avanceret ydeevne til forskellige elektroniske anvendelser. Dens lave tændingsmodstand og høje strømstyrke bidrager til effektiv strømstyring. Med et robust design og pålidelige elektriske egenskaber er denne komponent velegnet til forskellige miljøer i automatiserings- og elektroniske systemer.

• Opnår lav on-resistance for forbedret effektivitet
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A
• Designet til nem brug i overflademonterede applikationer
• Kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C
• Muliggør hurtige skift for bedre ydeevne
• Tillader en maksimal effektafledning på 110W til forskellige anvendelser

• Anvendes i strømstyringssystemer
• Velegnet til motorstyring
• Anvendes i switching-strømforsyninger til elektroniske enheder
• Bruges i bilkredsløb for at forbedre effektiviteten

Brug dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker for at opnå optimale resultater og sikre minimal termisk belastning af komponenten.

Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Lav RDS(on) reducerer effekttab, forbedrer den samlede effektivitet og mindsker varmeudviklingen under drift.

Implementer passende gate-drive-kredsløb for at opnå præcise turn-on- og turn-off-egenskaber ved at følge de foreslåede trigger-spændinger.

Ja, den er designet i DPAK-emballage, så den nemt kan integreres i typiske PCB-designs uden behov for særlige ændringer.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.