Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR5305TRPBF
- RS-varenummer:
- 827-4060
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-464
- Producentens varenummer:
- IRFR5305TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 109,36
(ekskl. moms)
Kr. 136,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.900 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 5,468 | Kr. 109,36 |
| 100 - 180 | Kr. 5,191 | Kr. 103,82 |
| 200 - 480 | Kr. 4,982 | Kr. 99,64 |
| 500 - 980 | Kr. 4,645 | Kr. 92,90 |
| 1000 + | Kr. 4,369 | Kr. 87,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4060
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-464
- Producentens varenummer:
- IRFR5305TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRFR5305TRPBF
Denne MOSFET tilbyder avanceret ydeevne til forskellige elektroniske anvendelser. Dens lave tændingsmodstand og høje strømstyrke bidrager til effektiv strømstyring. Med et robust design og pålidelige elektriske egenskaber er denne komponent velegnet til forskellige miljøer i automatiserings- og elektroniske systemer.
Egenskaber og fordele
• Opnår lav on-resistance for forbedret effektivitet
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A
• Designet til nem brug i overflademonterede applikationer
• Kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C
• Muliggør hurtige skift for bedre ydeevne
• Tillader en maksimal effektafledning på 110W til forskellige anvendelser
Anvendelsesområder
• Anvendes i strømstyringssystemer
• Velegnet til motorstyring
• Anvendes i switching-strømforsyninger til elektroniske enheder
• Bruges i bilkredsløb for at forbedre effektiviteten
Hvad er de anbefalede loddeteknikker til installation?
Brug dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker for at opnå optimale resultater og sikre minimal termisk belastning af komponenten.
Kan den klare miljøer med høje temperaturer?
Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.
Hvad er betydningen af lav RDS(on)?
Lav RDS(on) reducerer effekttab, forbedrer den samlede effektivitet og mindsker varmeudviklingen under drift.
Hvordan sikrer jeg korrekt skifteadfærd?
Implementer passende gate-drive-kredsløb for at opnå præcise turn-on- og turn-off-egenskaber ved at følge de foreslåede trigger-spændinger.
Er det kompatibelt med standard PCB-layouts?
Ja, den er designet i DPAK-emballage, så den nemt kan integreres i typiske PCB-designs uden behov for særlige ændringer.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101 AUIRFR5305TRL
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET Nej IRFU5305PBF
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET Nej IRF5305STRLPBF
