Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 168-7942
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2000 enheder, på en rulle med 2000)*
Kr. 5.182,00
(ekskl. moms)
Kr. 6.478,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 8.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | Kr. 2,591 | Kr. 5.182,00 |
| 4000 + | Kr. 2,462 | Kr. 4.924,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7942
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 175mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 175mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFR9024NTRPBF
Denne P-kanal MOSFET, der anvender HEXFET-teknologi, leverer effektiv ydelse i en række elektroniske applikationer. Dens robuste egenskaber gør den til en vigtig komponent for brugere inden for automatisering, elektronik samt den elektriske og mekaniske sektor. Produktet er dygtigt til at håndtere høje strømbelastninger, samtidig med at det sikrer effektiv kontrol i strømkredse.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 11A muliggør højtydende applikationer
• Kan modstå drain-source-spænding på op til 55V for øget pålidelighed
• Lav RDS(on) på 175 mΩ minimerer strømtab under drift
• Enhancement mode-design optimerer effektiviteten til forskellige anvendelser
• DPAK TO-252 overflademonteringspakke forenkler PCB-integration og montering
Anvendelsesområder
• Effektiv energistyring i strømforsyningskredsløb
• Velegnet til motorstyring har brug for høj strøm
• Anvendes i DC-DC-konvertere for at forbedre effektiviteten
• Ideel til skift af belastning på grund af hurtige svartider
• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer for ekstra pålidelighed
Hvad er den maksimale effektafgivelse for denne komponent?
Den har en maksimal effektafledningskapacitet på 38W.
Hvordan håndterer produktet gate-spændinger?
Gaten kan rumme spændinger fra -20 V til +20 V, hvilket giver designfleksibilitet.
Hvad er enhedens termiske ydeevne?
Den fungerer sikkert ved en maksimal temperatur på 150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.
Er den nem at montere på et printkort?
Ja, DPAK TO-252-pakken giver mulighed for direkte overflademontering på printkort.
Hvordan klarer denne MOSFET sig under forskellige temperaturer?
Den forbliver funktionel inden for et bredt temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket imødekommer forskellige anvendelsesbehov.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET