Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 168-7942
Producentens varenummer:: IRFR9024NTRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 5.182,00

(ekskl. moms)

Kr. 6.478,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 - 2000	Kr. 2,591	Kr. 5.182,00
4000 +	Kr. 2,462	Kr. 4.924,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 168-7942
Producentens varenummer:: IRFR9024NTRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	11A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	175mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	38W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.6V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	19nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	2.39mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Bredde	6.22 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-252
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 175mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 38W
	Gennemgangsspænding Vf -1.6V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 2.39mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Bredde 6.22 mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFR9024NTRPBF

Denne P-kanal MOSFET, der anvender HEXFET-teknologi, leverer effektiv ydelse i en række elektroniske applikationer. Dens robuste egenskaber gør den til en vigtig komponent for brugere inden for automatisering, elektronik samt den elektriske og mekaniske sektor. Produktet er dygtigt til at håndtere høje strømbelastninger, samtidig med at det sikrer effektiv kontrol i strømkredse.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 11A muliggør højtydende applikationer

• Kan modstå drain-source-spænding på op til 55V for øget pålidelighed

• Lav RDS(on) på 175 mΩ minimerer strømtab under drift

• Enhancement mode-design optimerer effektiviteten til forskellige anvendelser

• DPAK TO-252 overflademonteringspakke forenkler PCB-integration og montering

Anvendelsesområder

• Effektiv energistyring i strømforsyningskredsløb

• Velegnet til motorstyring har brug for høj strøm

• Anvendes i DC-DC-konvertere for at forbedre effektiviteten

• Ideel til skift af belastning på grund af hurtige svartider

• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer for ekstra pålidelighed

Hvad er den maksimale effektafgivelse for denne komponent?

Den har en maksimal effektafledningskapacitet på 38W.

Hvordan håndterer produktet gate-spændinger?

Gaten kan rumme spændinger fra -20 V til +20 V, hvilket giver designfleksibilitet.

Hvad er enhedens termiske ydeevne?

Den fungerer sikkert ved en maksimal temperatur på 150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Er den nem at montere på et printkort?

Ja, DPAK TO-252-pakken giver mulighed for direkte overflademontering på printkort.

Hvordan klarer denne MOSFET sig under forskellige temperaturer?

Den forbliver funktionel inden for et bredt temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket imødekommer forskellige anvendelsesbehov.