Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR9024NTRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 119,98

(ekskl. moms)

Kr. 149,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 180 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 1.060 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 10.300 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,999Kr. 119,98
100 - 180Kr. 4,679Kr. 93,58
200 - 480Kr. 4,38Kr. 87,60
500 - 980Kr. 4,073Kr. 81,46
1000 +Kr. 3,785Kr. 75,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-4088
Producentens varenummer:
IRFR9024NTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

175mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

38W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Højde

2.39mm

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 11A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 38W maksimal effektafledning - IRFR9024NTRPBF


Denne P-kanal MOSFET, der anvender HEXFET-teknologi, leverer effektiv ydelse i en række elektroniske applikationer. Dens robuste egenskaber gør den til en vigtig komponent for brugere inden for automatisering, elektronik samt den elektriske og mekaniske sektor. Produktet er dygtigt til at håndtere høje strømbelastninger, samtidig med at det sikrer effektiv kontrol i strømkredse.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 11A muliggør højtydende applikationer

• Kan modstå drain-source-spænding på op til 55V for øget pålidelighed

• Lav RDS(on) på 175 mΩ minimerer strømtab under drift

• Enhancement mode-design optimerer effektiviteten til forskellige anvendelser

• DPAK TO-252 overflademonteringspakke forenkler PCB-integration og montering

Anvendelsesområder


• Effektiv energistyring i strømforsyningskredsløb

• Velegnet til motorstyring har brug for høj strøm

• Anvendes i DC-DC-konvertere for at forbedre effektiviteten

• Ideel til skift af belastning på grund af hurtige svartider

• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer for ekstra pålidelighed

Hvad er den maksimale effektafgivelse for denne komponent?


Den har en maksimal effektafledningskapacitet på 38W.

Hvordan håndterer produktet gate-spændinger?


Gaten kan rumme spændinger fra -20 V til +20 V, hvilket giver designfleksibilitet.

Hvad er enhedens termiske ydeevne?


Den fungerer sikkert ved en maksimal temperatur på 150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Er den nem at montere på et printkort?


Ja, DPAK TO-252-pakken giver mulighed for direkte overflademontering på printkort.

Hvordan klarer denne MOSFET sig under forskellige temperaturer?


Den forbliver funktionel inden for et bredt temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket imødekommer forskellige anvendelsesbehov.

Relaterede links