Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 827-4072
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-466
- Producentens varenummer:
- IRFR5505TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 136,52
(ekskl. moms)
Kr. 170,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 40 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.720 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,826 | Kr. 136,52 |
| 100 - 180 | Kr. 6,485 | Kr. 129,70 |
| 200 + | Kr. 6,212 | Kr. 124,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4072
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-466
- Producentens varenummer:
- IRFR5505TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET 40 V til 55 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET