Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 913-4789
Producentens varenummer:: IRFR5305TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 6.178,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.722,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 - 2000	Kr. 3,089	Kr. 6.178,00
4000 +	Kr. 2,934	Kr. 5.868,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 913-4789
Producentens varenummer:: IRFR5305TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	31A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	65mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	63nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	110W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Højde	2.39mm
	Bredde	6.22 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype TO-252
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 65mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 110W
	Gennemgangsspænding Vf -1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Højde 2.39mm
	Bredde 6.22 mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRFR5305TRPBF

Denne MOSFET tilbyder avanceret ydeevne til forskellige elektroniske anvendelser. Dens lave tændingsmodstand og høje strømstyrke bidrager til effektiv strømstyring. Med et robust design og pålidelige elektriske egenskaber er denne komponent velegnet til forskellige miljøer i automatiserings- og elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele

• Opnår lav on-resistance for forbedret effektivitet

• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A

• Designet til nem brug i overflademonterede applikationer

• Kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C

• Muliggør hurtige skift for bedre ydeevne

• Tillader en maksimal effektafledning på 110W til forskellige anvendelser

Anvendelsesområder

• Anvendes i strømstyringssystemer

• Velegnet til motorstyring

• Anvendes i switching-strømforsyninger til elektroniske enheder

• Bruges i bilkredsløb for at forbedre effektiviteten

Hvad er de anbefalede loddeteknikker til installation?

Brug dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker for at opnå optimale resultater og sikre minimal termisk belastning af komponenten.

Kan den klare miljøer med høje temperaturer?

Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Hvad er betydningen af lav RDS(on)?

Lav RDS(on) reducerer effekttab, forbedrer den samlede effektivitet og mindsker varmeudviklingen under drift.

Hvordan sikrer jeg korrekt skifteadfærd?

Implementer passende gate-drive-kredsløb for at opnå præcise turn-on- og turn-off-egenskaber ved at følge de foreslåede trigger-spændinger.

Er det kompatibelt med standard PCB-layouts?

Ja, den er designet i DPAK-emballage, så den nemt kan integreres i typiske PCB-designs uden behov for særlige ændringer.