Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRFR9024NTRLPBF
- RS-varenummer:
- 262-6770
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 126,425
(ekskl. moms)
Kr. 158,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 5,057 | Kr. 126,43 |
| 125 - 225 | Kr. 4,805 | Kr. 120,13 |
| 250 - 600 | Kr. 4,605 | Kr. 115,13 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,401 | Kr. 110,03 |
| 1250 + | Kr. 2,78 | Kr. 69,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6770
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 175mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Distrelec Product Id | 304-41-678 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -11A | ||
Drain source spænding maks. Vds -55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 175mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Distrelec Product Id 304-41-678 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Fuldt lavineret
Hurtig omskiftning
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 11 A 55 V TO-252AA, HEXFET IRFR9024NTRLPBF
- Infineon P-Kanal 11 A 55 V IPAK (TO-251), HEXFET IRFU9024NPBF
- Infineon P-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR9024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 15 A 100 V HEXFET IRFR3910TRPBF
- Infineon P-Kanal 19 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF9Z34NPBF
- Infineon P-Kanal 12 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF9Z24NPBF
- Infineon P-Kanal 74 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF4905PBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF5305PBF
