Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -11 A -55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 262-6770
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-678
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 182,05
(ekskl. moms)
Kr. 227,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 7,282 | Kr. 182,05 |
| 125 - 225 | Kr. 6,914 | Kr. 172,85 |
| 250 - 600 | Kr. 6,63 | Kr. 165,75 |
| 625 - 1225 | Kr. 6,337 | Kr. 158,43 |
| 1250 + | Kr. 4,003 | Kr. 100,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6770
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-41-678
- Producentens varenummer:
- IRFR9024NTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 175mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -11A | ||
Drain source spænding maks. Vds -55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 175mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Fuldt lavineret
Hurtig omskiftning
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -11 A -55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 31 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 11 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 11 A 55 V Forbedring IPAK, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 18 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET